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OP413GP

产品描述

OP413GP放大器基础信息:

OP413GP是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为PLASTIC, DIP-14

OP413GP放大器核心信息:

OP413GP的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是85 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.6 µA他的最大平均偏置电流为0.6 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,OP413GP的标称压摆率有1 V/us。厂商给出的OP413GP的最大压摆率为4 mA.而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,OP413GP增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为3000 kHz。

OP413GP的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。OP413GP的输入失调电压为150 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

OP413GP的相关尺寸:

OP413GP的宽度为:7.62 mm,长度为19.05 mmOP413GP拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:14

OP413GP放大器其他信息:

OP413GP采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低失调类放大器。OP413GP的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:INDUSTRIAL。OP413GP不符合Rohs认证。

其对应的的JESD-30代码为:R-PDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为:e0。OP413GP的封装代码是:DIP。OP413GP封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。

OP413GP封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.33 mm。

产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小288KB,共4页
制造商ADI(亚德诺半导体)
官网地址https://www.analog.com
器件替换:OP413GP替换放大器
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

OP413GP概述

OP413GP放大器基础信息:

OP413GP是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为PLASTIC, DIP-14

OP413GP放大器核心信息:

OP413GP的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是85 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.6 µA他的最大平均偏置电流为0.6 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,OP413GP的标称压摆率有1 V/us。厂商给出的OP413GP的最大压摆率为4 mA.而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,OP413GP增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为3000 kHz。

OP413GP的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。OP413GP的输入失调电压为150 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

OP413GP的相关尺寸:

OP413GP的宽度为:7.62 mm,长度为19.05 mmOP413GP拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:14

OP413GP放大器其他信息:

OP413GP采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低失调类放大器。OP413GP的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:INDUSTRIAL。OP413GP不符合Rohs认证。

其对应的的JESD-30代码为:R-PDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为:e0。OP413GP的封装代码是:DIP。OP413GP封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。

OP413GP封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.33 mm。

OP413GP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明PLASTIC, DIP-14
针数14
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.6 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.6 µA
最小共模抑制比86 dB
标称共模抑制比106 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压150 µV
JESD-30 代码R-PDIP-T14
JESD-609代码e0
长度19.05 mm
低-失调YES
负供电电压上限-18 V
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
功能数量4
端子数量14
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5/+-15 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.33 mm
标称压摆率1 V/us
最大压摆率4 mA
供电电压上限18 V
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装NO
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽3000 kHz
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

OP413GP相似产品对比

OP413GP OP413ARC/883 OP413AZ/883 OP413GBC OP113AZ/883 OP113GP OP113GS OP413GS OP113GBC
描述 IC QUAD OP-AMP, 150 uV OFFSET-MAX, 3 MHz BAND WIDTH, PDIP14, PLASTIC, DIP-14, Operational Amplifier IC QUAD OP-AMP, 150 uV OFFSET-MAX, 3 MHz BAND WIDTH, CQCC20, LCC-20, Operational Amplifier IC QUAD OP-AMP, 150 uV OFFSET-MAX, 3 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Operational Amplifier IC QUAD OP-AMP, 150 uV OFFSET-MAX, 3.4 MHz BAND WIDTH, UUC14, 0.106 X 0.106 INCH, DIE-14, Operational Amplifier IC OP-AMP, 150 uV OFFSET-MAX, 3.4 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Operational Amplifier IC OP-AMP, 150 uV OFFSET-MAX, 3 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Operational Amplifier IC OP-AMP, 150 uV OFFSET-MAX, 3 MHz BAND WIDTH, PDSO8, SOIC-8, Operational Amplifier IC QUAD OP-AMP, 150 uV OFFSET-MAX, 3 MHz BAND WIDTH, PDSO14, SOIC-14, Operational Amplifier IC OP-AMP, 150 uV OFFSET-MAX, 3.4 MHz BAND WIDTH, UUC5, 0.064 X 0.0627 INCH, DIE-5, Operational Amplifier
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIP QLCC DIP DIE DIP DIP SOIC SOIC DIE
包装说明 PLASTIC, DIP-14 LCC-20 CERDIP-8 0.106 X 0.106 INCH, DIE-14 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP14,.25 0.064 X 0.0627 INCH, DIE-5
针数 14 20 8 14 8 8 8 14 5
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant compliant compliant unknown unknown unknown unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB) 0.6 µA 0.6 µA 0.6 µA 0.65 µA 0.6 µA 0.6 µA 0.6 µA 0.6 µA 0.65 µA
最小共模抑制比 86 dB 86 dB 86 dB 86 dB 86 dB 86 dB 86 dB 86 dB 86 dB
标称共模抑制比 106 dB 106 dB 106 dB 90 dB 106 dB 106 dB 106 dB 106 dB 90 dB
最大输入失调电压 150 µV 150 µV 150 µV 150 µV 150 µV 150 µV 150 µV 150 µV 150 µV
JESD-30 代码 R-PDIP-T14 S-CQCC-N20 R-GDIP-T8 S-XUUC-N14 R-GDIP-T8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G14 R-XUUC-N5
负供电电压上限 -18 V -18 V -18 V -18 V -18 V -18 V -18 V -18 V -18 V
功能数量 4 4 4 4 1 1 1 4 1
端子数量 14 20 8 14 8 8 8 14 5
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED UNSPECIFIED CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED
封装代码 DIP QCCN DIP DIE DIP DIP SOP SOP DIE
封装形状 RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE UNCASED CHIP IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 220 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大压摆率 4 mA 4 mA 4 mA 8 mA 2.5 mA 4 mA 4 mA 4 mA 2 mA
供电电压上限 18 V 18 V 18 V 18 V 18 V 18 V 18 V 18 V 18 V
标称供电电压 (Vsup) 15 V 15 V 15 V 5 V 15 V 15 V 15 V 15 V 5 V
表面贴装 NO YES NO YES NO NO YES YES YES
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING NO LEAD
端子位置 DUAL QUAD DUAL UPPER DUAL DUAL DUAL DUAL UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 3000 kHz 3000 kHz 3000 kHz 3400 kHz 3400 kHz 3000 kHz 3000 kHz 3000 kHz 3400 kHz
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK - VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.6 µA 0.6 µA - 0.65 µA 0.65 µA 0.6 µA 0.6 µA 0.6 µA 0.65 µA
频率补偿 YES YES - YES YES YES YES YES YES
JESD-609代码 e0 e0 - e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 19.05 mm 8.89 mm - - - 9.88 mm 4.9 mm 8.65 mm -
低-失调 YES YES - YES YES YES YES YES YES
标称负供电电压 (Vsup) -15 V -15 V -15 V - -15 V -15 V -15 V -15 V -
最高工作温度 85 °C 125 °C 125 °C - 125 °C 85 °C 85 °C 85 °C -
最低工作温度 -40 °C -55 °C -55 °C - -55 °C -40 °C -40 °C -40 °C -
封装等效代码 DIP14,.3 LCC20,.35SQ - DIE OR CHIP DIP8,.3 DIP8,.3 SOP8,.25 SOP14,.25 DIE OR CHIP
电源 5/+-15 V 5/+-15 V - 5/+-15 V 5/+-15 V 5/+-15 V 5/+-15 V 5/+-15 V 5/+-15 V
座面最大高度 5.33 mm 2.54 mm 5.08 mm - 5.08 mm 5.33 mm 1.75 mm 1.75 mm -
标称压摆率 1 V/us 1 V/us 1 V/us - 1 V/us 1 V/us 1 V/us 1 V/us -
温度等级 INDUSTRIAL MILITARY MILITARY - MILITARY INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm - 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm -
宽度 7.62 mm 8.89 mm 7.62 mm - 7.62 mm 7.62 mm 3.9 mm 3.9 mm -
厂商名称 - - - ADI(亚德诺半导体) ADI(亚德诺半导体) ADI(亚德诺半导体) ADI(亚德诺半导体) ADI(亚德诺半导体) ADI(亚德诺半导体)

 
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