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TBU1502G

产品描述1 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小75KB,共2页
制造商HY Electronic
官网地址http://www.hygroup.com.tw
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TBU1502G概述

1 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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TBU15005G thru TBU1510G
GLASS PASSIVATED
BRIDGE RECTIFIERS
FEATURES
Surge overload rating -250 amperes peak
Ideal for printed circuit board
Reliable low cost construction utilizing
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000Volts
FORWARD CURRENT
- 15.0
Amperes
TBU
.177(4.5)*45°
.935(23.7)
.895(22.7)
.15? X23L
(3.8? X5.7L)
HOLE THRU
molded plastic technique
Plastic material has U/L
300
(7.5)
.748(19.0)
.709(18.0)
.780(19.8)
.740(18.8)
flammability classification 94V-0
Mounting postition:Any
1.00
MIN.
(25.4)
.052(1.3)DIA.
.048(1.2)TYP.
.087(2.2)
.071(1.8)
.220(5.6)
.180(4.6)
.244(6.2)
.205(5.2)
Dimensions in inches and (milimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward (with heatsink Note 1)
Rectified Current
@ T
C
=100℃ (without heatsink)
Peak Forward Surge Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at 7.5A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
@ T
J
=25℃
@ T
J
=125℃
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
TBU
15005G
50
35
50
TBU
1501G
100
70
100
TBU
1502G
200
140
200
TBU
1504G
400
280
400
15.0
3.2
250
1.1
10
500
-55 to +150
-55 to +150
TBU
1506G
600
420
600
TBU
1508G
800
560
800
TBU
1510G
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
T
J
T
STG
A
V
μA
NOTES: 1.Device mounted on 100mm*100mm*1.6mm Cu plate heatsink.
~ 450 ~

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