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1N5711WS

产品描述0.015 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小31KB,共1页
制造商KEXIN
官网地址http://www.kexin.com.cn/html/index.htm
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1N5711WS概述

0.015 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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SMD Type
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARIER DIODE
1N5711WS
Diodes
SOD-323
+0.1
1.7
-0.1
Unit: mm
Features
Low Forward Voltage Drop
Guard Ring Construction for Transient Prote
Fast Switching Speed
Low Capacitance
Surface Mount Package ldeally Suited for Automatic Insertion
0.475
+0.1
2.6
-0.1
+0.05
0.3
-0.05
+0.05
0.85
-0.05
1.0max
0.375
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Paramater
Peak Repetitive Reverse voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Volatge
RMS Reverse Voltage
Forward Continuous Current
Power Dissipation (Note1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
Storage Temperature Range
Note:
1. Part mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout.
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
FM
P
d
R
èJA
T
j
T
STG
49
15
150
650
-55 to+125
-55 to+150
V
mA
mW
/W
70
V
Value
Unit
Electrical Characteristics Ta = 25
Characteristic
Reverse BreakdownVoltage (Note 2)
Reverse Leakage Current (Note 2)
Forward Voltage Drop (Note 2)
Total Capacitance
Reverse Recovery Time
Note:
2. Measured with I
F
=I
R
= 10 mA,I
RR
= 0.1 x I
R
, R
L
= 100
Symbol
V
(BR)R
I
R
V
F
C
T
t
rr
Test Condition
I
R
= 10
A
Min
70
200
0.41
1.00
2.0
1.0
pF
ns
TYP
Max
Unit
V
nA
V
V
R
= 50 V
I
F
= 1.0 mA
I
F
= 15 mA
V
R
= 0 V, f = 1.0 MHz
I
F
=I
R
= 5.0 mA
Irr = 0.1 x I
R
, R
L
= 100
.
Marking
Marking
SA
+0.05
0.1
-0.02
+0.1
1.3
-0.1
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