MV65030-25B0HP概述

FIFO, 64X9, Asynchronous, CMOS, PQCC28,

MV65030-25B0HP规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	QCCJ, LDCC28,.5SQ
Reach Compliance Code	unknown
最大时钟频率 (fCLK)	25 MHz
JESD-30 代码	S-PQCC-J28
JESD-609代码	e0
内存集成电路类型	OTHER FIFO
内存宽度	9
端子数量	28
字数	64 words
字数代码	64
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64X9
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC28,.5SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
电源	2/6 V
认证状态	Not Qualified
最大压摆率	0.03 mA
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
Base Number Matches	1

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MV65030-25B0HP相似产品对比

	MV65030-25B0HP	MV65030A0LC	MV65030-25B0DG	MV65030-25B0DP	MV65030-35B0DG	MV65030-35B0DP	MV65030-35B0HP	MV65030-35B0LC
描述	FIFO, 64X9, Asynchronous, CMOS, PQCC28,	FIFO, 64X9, Asynchronous, CMOS, CQCC28,	FIFO, 64X9, Asynchronous, CMOS, CDIP28,	FIFO, 64X9, Asynchronous, CMOS, PDIP28,	FIFO, 64X9, Asynchronous, CMOS, CDIP28,	FIFO, 64X9, Asynchronous, CMOS, PDIP28,	FIFO, 64X9, Asynchronous, CMOS, PQCC28,	FIFO, 64X9, Asynchronous, CMOS, CQCC28,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	QCCJ, LDCC28,.5SQ	QCCN, LCC28,.45SQ	DIP, DIP28,.6	DIP, DIP28,.6	DIP, DIP28,.6	DIP, DIP28,.6	QCCJ, LDCC28,.5SQ	QCCN, LCC28,.45SQ
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
JESD-30 代码	S-PQCC-J28	S-XQCC-N28	R-XDIP-T28	R-PDIP-T28	R-XDIP-T28	R-PDIP-T28	S-PQCC-J28	S-XQCC-N28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存集成电路类型	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO
内存宽度	9	9	9	9	9	9	9	9
端子数量	28	28	28	28	28	28	28	28
字数	64 words	64 words	64 words	64 words	64 words	64 words	64 words	64 words
字数代码	64	64	64	64	64	64	64	64
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	125 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-55 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	64X9	64X9	64X9	64X9	64X9	64X9	64X9	64X9
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC
封装代码	QCCJ	QCCN	DIP	DIP	DIP	DIP	QCCJ	QCCN
封装等效代码	LDCC28,.5SQ	LCC28,.45SQ	DIP28,.6	DIP28,.6	DIP28,.6	DIP28,.6	LDCC28,.5SQ	LCC28,.45SQ
封装形状	SQUARE	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
电源	2/6 V	2/6 V	2/6 V	2/6 V	2/6 V	2/6 V	2/6 V	2/6 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	NO	NO	NO	NO	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	MILITARY	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	NO LEAD	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	QUAD	QUAD
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1
最大时钟频率 (fCLK)	25 MHz	-	25 MHz	25 MHz	35 MHz	35 MHz	35 MHz	35 MHz
最大压摆率	0.03 mA	-	0.03 mA	0.03 mA	0.04 mA	0.04 mA	0.04 mA	0.04 mA

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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