TM4256GV8-15L概述

256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 150ns, SMA30, 3.100 X 0.450 INCH, SIMM-30

TM4256GV8-15L规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	SIMM
包装说明	, SIP30,.2
针数	30
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	PAGE
最长访问时间	150 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-T30
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	DRAM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	30
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装等效代码	SIP30,.2
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	256
座面最大高度	11.43 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	NMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

TM4256GV8-15L相似产品对比

	TM4256GV8-15L	TM4256GP8-12L	TM4256GP8-15L	TM4256GV8-12L	TM4256GP8-20L
描述	256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 150ns, SMA30, 3.100 X 0.450 INCH, SIMM-30	256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, 3.500 X 0.450 INCH, SIMM-30	256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 150ns, SMA30, 3.500 X 0.450 INCH, SIMM-30	256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, 3.100 X 0.450 INCH, SIMM-30	256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 200ns, SMA30, 3.500 X 0.450 INCH, SIMM-30
零件包装代码	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM
包装说明	, SIP30,.2	3.500 X 0.450 INCH, SIMM-30	3.500 X 0.450 INCH, SIMM-30	, SIP30,.2	SIMM, SIM30
针数	30	30	30	30	30
Reach Compliance Code	not_compliant	unknown	unknown	_compli	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	PAGE	PAGE	PAGE	PAGE	PAGE
最长访问时间	150 ns	120 ns	150 ns	120 ns	200 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-T30	R-XSMA-N30	R-XSMA-N30	R-XSMA-T30	R-XSMA-N30
内存密度	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bi	2097152 bi
内存集成电路类型	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE
内存宽度	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1
端子数量	30	30	30	30	30
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装等效代码	SIP30,.2	SIM30	SIM30	SIP30,.2	SIM30
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	256	256	256	256	256
座面最大高度	11.43 mm	11.43 mm	11.43 mm	11.43 mm	11.43 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE	NO LEAD
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
厂商名称	-	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
封装代码	-	SIMM	SIMM	-	SIMM

TM4256GV8-15L

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TM4256GV8-15L规格参数

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