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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> KC847BT
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KC847BT

产品描述100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小35KB，共1页
制造商KEXIN
官网地址http://www.kexin.com.cn/html/index.htm
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KC847BT概述

100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

100 mA, 45 V, NPN, 硅, 小信号晶体管

KC847BT规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性NPN
最大集电极电流0.1000 A
最大集电极发射极电压45 V
加工封装描述PLASTIC, SC-75, 3 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
中国RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层TIN
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
元件数量1
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
晶体管类型GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
最小直流放大倍数110
额定交叉频率100 MHz

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SMD Type
NPN General Purpose Transistors
KC847T
(BC847T)
SOT-523
+0.1
1.6
-0.1
Transistors
Unit: mm
Features
Low current (max. 100 mA)
Low voltage (max. 45 V).
2
+0.1
1.0
-0.1
+0.05
0.2
-0.05
+0.01
0.1
-0.01
1
+0.15
1.6
-0.15
0.55
+0.25
0.3
-0.05
+0.1
0.5
-0.1
0.35
3
1. Base
+0.05
0.75
-0.05
+0.1
-0.1
0.8
2. Emitter
3. Collecter
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current (DC)
Peak collector current
power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
P
D
T
j
T
stg
Rating
50
45
5
100
200
150
150
-65 to +150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
Electrical Characteristics Ta = 25
Parameter
collector cut-off current
emitter cut-off current
KC847AT
DC current gain
KC847BT
KC847CT
collector-emitter saturation voltage
V
CEsat
I
C
= 10 mA; I
B
= 0.5 mA
I
C
= 100 mA; I
B
= 5 mA; *
base-emitter voltage
collector capacitance
emitter capacitance
noise figure
transition frequency
* Pulse test: tp
300 ms;
0.02.
V
BE
C
c
C
e
F
f
T
I
C
= 2 mA; V
CE
= 5 V
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 500 mV; f = 1 MHz
I
C
= 200 A; V
CE
= 5 V; R
S
= 2 k
kHz; B = 200 Hz
;f = 1
100
11
10
580
h
FE
I
C
= 2 mA; V
CE
= 5 V
Symbol
I
CBO
I
EBO
Testconditons
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V; T
j
= 150
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
110
200
420
Min
Typ
Max
15
5
100
220
450
800
200
400
700
770
1.5
mV
mV
mV
mV
pF
pF
dB
MHz
Unit
nA
A
nA
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
Marking
NO.
Marking
KC847AT
1E
KC847BT
1F
KC847CT
1G
+0.05
0.8
-0.05
www.kexin.com.cn
1

KC847BT相似产品对比

KC847BT BC847T KC847AT KC847T KC847CT
描述 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
端子数量 3 3 3 3 3
晶体管极性 NPN NPN NPN NPN NPN
最大集电极电流 0.1000 A 0.1000 A 0.1000 A 0.1000 A 0.1000 A
最大集电极发射极电压 45 V 45 V 45 V 45 V 45 V
加工封装描述 PLASTIC, SC-75, 3 PIN PLASTIC, SC-75, 3 PIN PLASTIC, SC-75, 3 PIN PLASTIC, SC-75, 3 PIN PLASTIC, SC-75, 3 PIN
无铅 Yes Yes Yes Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes Yes Yes Yes
中国RoHS规范 Yes Yes Yes Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes Yes Yes Yes
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子涂层 TIN TIN TIN TIN TIN
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
结构 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
元件数量 1 1 1 1 1
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
晶体管类型 GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
最小直流放大倍数 110 110 110 110 110
额定交叉频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz

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