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PCF85116-3T

产品描述IC 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 3.90 MM, PLASTIC, MS-012AA, SOT-96-1, SOP-8, Programmable ROM
产品类别存储    存储   
文件大小419KB,共21页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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PCF85116-3T概述

IC 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 3.90 MM, PLASTIC, MS-012AA, SOT-96-1, SOP-8, Programmable ROM

PCF85116-3T规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明3.90 MM, PLASTIC, MS-012AA, SOT-96-1, SOP-8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值20
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010MMMR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
内存密度16384 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数2048 words
字数代码2000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2KX8
输出特性OPEN-DRAIN
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000006 A
最大压摆率0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
写保护HARDWARE
Base Number Matches1

PCF85116-3T相似产品对比

PCF85116-3T PCF85116-3P
描述 IC 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 3.90 MM, PLASTIC, MS-012AA, SOT-96-1, SOP-8, Programmable ROM IC 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, SOT-97-1, DIP-8, Programmable ROM
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 SOIC DIP
包装说明 3.90 MM, PLASTIC, MS-012AA, SOT-96-1, SOP-8 0.300 INCH, PLASTIC, SOT-97-1, DIP-8
针数 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 0.4 MHz 0.4 MHz
数据保留时间-最小值 20 20
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节 1010MMMR 1010MMMR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8
JESD-609代码 e4 e4
长度 4.9 mm 9.5 mm
内存密度 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 8 8
字数 2048 words 2048 words
字数代码 2000 2000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 2KX8 2KX8
输出特性 OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP DIP
封装等效代码 SOP8,.25 DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
并行/串行 SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 250
电源 3/5 V 3/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm 4.2 mm
串行总线类型 I2C I2C
最大待机电流 0.000006 A 0.000006 A
最大压摆率 0.001 mA 0.001 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
宽度 3.9 mm 7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms 10 ms
写保护 HARDWARE HARDWARE
Base Number Matches 1 1
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