IC 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, SOT-97-1, DIP-8, Programmable ROM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | 0.300 INCH, PLASTIC, SOT-97-1, DIP-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 20 |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节 | 1010MMMR |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 9.5 mm |
| 内存密度 | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 2KX8 |
| 输出特性 | OPEN-DRAIN |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 250 |
| 电源 | 3/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.2 mm |
| 串行总线类型 | I2C |
| 最大待机电流 | 0.000006 A |
| 最大压摆率 | 0.001 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
| 写保护 | HARDWARE |
| Base Number Matches | 1 |
| PCF85116-3P | PCF85116-3T | |
|---|---|---|
| 描述 | IC 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, SOT-97-1, DIP-8, Programmable ROM | IC 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 3.90 MM, PLASTIC, MS-012AA, SOT-96-1, SOP-8, Programmable ROM |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | DIP | SOIC |
| 包装说明 | 0.300 INCH, PLASTIC, SOT-97-1, DIP-8 | 3.90 MM, PLASTIC, MS-012AA, SOT-96-1, SOP-8 |
| 针数 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz | 0.4 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 20 | 20 |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节 | 1010MMMR | 1010MMMR |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 |
| 长度 | 9.5 mm | 4.9 mm |
| 内存密度 | 16384 bit | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 字数 | 2048 words | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 | 2000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 2KX8 | 2KX8 |
| 输出特性 | OPEN-DRAIN | OPEN-DRAIN |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | SOP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 250 | 260 |
| 电源 | 3/5 V | 3/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.2 mm | 1.75 mm |
| 串行总线类型 | I2C | I2C |
| 最大待机电流 | 0.000006 A | 0.000006 A |
| 最大压摆率 | 0.001 mA | 0.001 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 |
| 宽度 | 7.62 mm | 3.9 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms | 10 ms |
| 写保护 | HARDWARE | HARDWARE |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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