Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> KC807-25

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KC807-25: 产品描述800 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小36KB，共1页; 制造商KEXIN; 官网地址http://www.kexin.com.cn/html/index.htm

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KC807-25概述

800 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

800 mA, 45 V, PNP, 硅, 小信号晶体管

KC807-25规格参数

参数名称	属性值
端子数量	3
晶体管极性	PNP
最大集电极电流	0.8000 A
最大集电极发射极电压	45 V
加工封装描述	SOT-23, 3 PIN
状态	DISCONTINUED
包装形状	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子位置	双
包装材料	塑料/环氧树脂
结构	单一的
元件数量	1
晶体管应用	开关
晶体管元件材料	硅
最大环境功耗	0.3100 W
晶体管类型	通用小信号
最小直流放大倍数	60
额定交叉频率	100 MHz

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SMD Type

PNP Silicon AF Transistors

KC807(BC807)

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Transistors

Unit: mm

+0.1

2.4

-0.1

Features

For general AF applications.

High collector current.

High current gain.

Low collector-emitter saturation voltage.

+0.1

1.3

-0.1

0.95

+0.1

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

0.97

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Rating

-50

-45

-5

-800

310

150

-65 to +150

Unit

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector-to-base breakdown voltage

Collector-to-emitter breakdown voltage

Emitter-to-base breakdown voltage

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

DC current gain *

Collector saturation voltage *

Base emitter on voltage

Output Capacitance

Transition frequency

* Pulsed: PW

350 ìs, duty cycle

Symbol

CBO

CEO

EBO

CES

EBO

= -300 mA, V

= -1 V

CE(sat)

= -500 mA, I

= -50 mA

BE(on)

=-1V,I

=300mA

=-10V,f=1MHz

= -10 mA, V

= -5 V, f = 50 MHz

100

-0.7

-1.2

MHz

= -10

Testconditons

A,V

= 0

Min

-50

-45

-5

-100

100

630

Typ

Max

Unit

= -10 mA, I

= 0

= -10

A, I

= 0

= -25 V, V

= 0

= -4 V, I

= 0

= -100 mA, V

= -1 V

Marking

NO.

Marking

hFE

KC807-16

9FA

100

250

KC807-25

9FB

160

400

KC807-40

9FC

250

630

+0.1

0.38

-0.1

0-0.1

www.kexin.com.cn

KC807-25相似产品对比

	KC807-25	BC807	KC807	KC807-16	KC807-40
描述	800 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	800 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	800 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	800 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	800 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
端子数量	3	3	3	3	3
晶体管极性	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
最大集电极电流	0.8000 A	0.8000 A	0.8000 A	0.8000 A	0.8000 A
最大集电极发射极电压	45 V	45 V	45 V	45 V	45 V
加工封装描述	SOT-23, 3 PIN	SOT-23, 3 PIN	SOT-23, 3 PIN	SOT-23, 3 PIN	SOT-23, 3 PIN
状态	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED
包装形状	矩形的	矩形的	矩形的	矩形的	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	双	双	双	双	双
包装材料	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂
结构	单一的	单一的	单一的	单一的	单一的
元件数量	1	1	1	1	1
晶体管应用	开关	开关	开关	开关	开关
晶体管元件材料	硅	硅	硅	硅	硅
最大环境功耗	0.3100 W	0.3100 W	0.3100 W	0.3100 W	0.3100 W
晶体管类型	通用小信号	通用小信号	通用小信号	通用小信号	通用小信号
最小直流放大倍数	60	60	60	60	60
额定交叉频率	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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