DRAM CONTROLLER, PDIP20
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 地址总线宽度 | 8 |
| 边界扫描 | NO |
| 外部数据总线宽度 | |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 24.325 mm |
| 低功率模式 | NO |
| 区块数量 | 2 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | COMMERCIAL |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 | 5.25 V |
| 最小供电电压 | 4.75 V |
| 标称供电电压 | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | TTL |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | MEMORY CONTROLLER, DRAM |
| Base Number Matches | 1 |
内存刷新控制器的电气特性是确保动态随机存取存储器(DRAM)正常工作的关键因素。在实际应用中,这些特性需要满足以下一些具体要求:
供电电压(Vcc):内存刷新控制器需要在规定的供电电压范围内工作,以保证其稳定性和性能。例如,数据表中提到的供电电压范围是4.75V至5.25V。
输入电压:输入电压也需要在一定的范围内,以确保信号能够被正确识别。数据表中提到的输入电压绝对最大值为7V。
高/低电平输出电流:控制器的输出电流在高电平和低电平时需要在特定的范围内,以确保能够驱动相应的负载。例如,RAS的高电平输出电流为-2.6mA,低电平输出电流为24mA。
RAS输出脉冲持续时间:RAS信号的高电平和低电平脉冲持续时间需要满足特定要求,以确保内存行地址能够被正确刷新。数据表中提到的高电平脉冲持续时间(tSHH)和低电平脉冲持续时间(tSLH)典型值分别为75ns。
RESET LATCHED RCO脉冲持续时间:重置锁存RCO的脉冲持续时间需要足够长,以确保信号能够被正确处理。
REF REQ脉冲持续时间:在周期窃取操作期间,REF REQ脉冲的持续时间需要满足特定要求,以确保CPU能够响应并执行刷新操作。
外部定时电阻(Rext):外部定时电阻的值会影响刷新周期和RAS的高/低电平持续时间,需要根据应用需求选择合适的值。
操作温度范围:内存刷新控制器需要在规定的操作温度范围内工作,以保证其性能和可靠性。数据表中提到的操作温度范围是0°C至70°C。
存储温度范围:存储温度范围也会影响内存刷新控制器的长期稳定性和寿命。
开关特性:包括信号的上升时间和下降时间,这些特性决定了信号的切换速度,影响内存刷新的效率。
输入电流和短路保护:在最大输入电压下,输入电流需要在特定范围内,同时控制器需要能够承受一定时间的短路条件。
这些电气特性的具体要求确保了内存刷新控制器能够在各种条件下稳定工作,并与内存模块和其他系统组件兼容。

| SN74LS600AN | SN74LS603AN | SN74LS600ADWR | SN74LS601AN | SN74LS600ADW | SN74LS601ADW | SN74LS601ADWR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | DRAM CONTROLLER, PDIP20 | DRAM CONTROLLER, PDIP20 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO20 | DRAM CONTROLLER, PDIP20 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO20 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO20 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO20 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T20 | R-PDIP-T20 | R-PDSO-G20 | R-PDIP-T20 | R-PDSO-G20 | R-PDSO-G20 | R-PDSO-G20 |
| 长度 | 24.325 mm | 24.325 mm | 12.8 mm | 24.325 mm | 12.8 mm | 12.8 mm | 12.8 mm |
| 端子数量 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIP | SOP | DIP | SOP | SOP | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 认证状态 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | 2.65 mm | 5.08 mm | 2.65 mm | 2.65 mm | 2.65 mm |
| 表面贴装 | NO | NO | YES | NO | YES | YES | YES |
| 技术 | TTL | TTL | TTL | TTL | TTL | TTL | TTL |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | GULL WING | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.5 mm | 7.62 mm | 7.5 mm | 7.5 mm | 7.5 mm |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | - | 含铅 | 不含铅 | 含铅 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - | e0 | e0 | e0 | - |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | - | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 厂商名称 | - | Rochester Electronics | Rochester Electronics | Rochester Electronics | Rochester Electronics | Rochester Electronics | Rochester Electronics |
| 湿度敏感等级 | - | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 内存密度 | - | - | 16384 bit | - | 16384 bit | 65536 bit | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | - | - | MEMORY CIRCUIT | - | MEMORY CIRCUIT | MEMORY CIRCUIT | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度 | - | - | 1 | - | 1 | 1 | 1 |
| 功能数量 | - | - | 1 | - | 1 | 1 | 1 |
| 字数 | - | - | 16384 words | - | 16384 words | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | - | - | 16000 | - | 16000 | 64000 | 64000 |
| 工作模式 | - | - | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 组织 | - | - | 16KX1 | - | 16KX1 | 64KX1 | 64KX1 |
| 最大供电电压 (Vsup) | - | - | 5.25 V | - | 5.25 V | 5.25 V | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | - | - | 4.75 V | - | 4.75 V | 4.75 V | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | - | - | 5 V | - | 5 V | 5 V | 5 V |
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