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SGP30N60

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共7页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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SGP30N60概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

SGP30N60规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW CONDUCTION LOSS, FAST
最大集电极电流 (IC)41 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)391 ns
标称接通时间 (ton)76 ns
Base Number Matches1
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