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K6T1008U2E-RB70: 产品描述Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32; 产品类别存储存储; 文件大小210KB，共11页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K6T1008U2E-RB70概述

Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32

WINCE不支持斜角输出字符串吗??: 使用VC开发时，常常需要在窗口上画一些图表。有时要把一些文字竖着写，有时需要倾斜一定的角度。对于老手们，这当然算不上什么问题，而新手却常常找不到方法。新手们往往会在CDC的成员函数里四处寻觅，企图找到一个带斜角参数的TextOut之类的函数，当然是找不到的。输出角度虽然看起来应该是个“输出”行为，事实上却不在画图时决定，而是由字体决定的。VC的字体由一个结构体定义：typedef struct t...; lao3 WindowsCE

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EK-STM32板的几个问题: 1.例程序中的U盘程序无法正常工作，在Debugger连接后就出现了一个移动硬盘（疑为STM32的flash）。但运行MassstorageSimpleBuffer程序后在设备管理器里有一个出错的USBDevice。2.运行LCDdemo正常，理论上说在进入debug后IAR已经将程序烧录入IC中，但单独使用USB供电（CN5）脱离Debuger程序无法运行。3.操纵杆为五键但是例程序中只给了上下...; mya2 stm32/stm8

【GD32E503评测】一个月测试总结: GD32因测试而相识。GD32E503V-EVAL开发板，核心芯片GD32E503VET6（以下简称GD32E5）。GD32E5属于国内开发的芯片，架构比较新，平台高，毕竟站在前人肩膀上，性能会有所提升。测试进行了一个多月，总结如下。内核GD32E503VET6主频最大108M。主频大意味着单片机代码运行的速度会更快。项目开发，如：LCD刷屏，数字运算，电机控制等操作，GD32E5是一个不错的选择...; superstar_gu 国产芯片交流

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微波放大器增益与噪声关系的分析方法: 提出了一种在微波宽带低噪声放大器设计中,放大器增益性能与噪声性能之间关系的解析表达式,对其解析解进行了详尽的讨论,大大简化了传统的设计过程,并对微波低噪声HEMT器件JS8905-AS的性能进行了分析设计,经验证,与传统方法的结果相吻合。...; JasonYoo 模拟电子

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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