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HB56UW1673E-7A

产品描述EDO DRAM Module, 16MX72, 70ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168
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文件大小333KB,共29页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
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HB56UW1673E-7A概述

EDO DRAM Module, 16MX72, 70ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168

HB56UW1673E-7A规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DIMM
包装说明,
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间70 ns
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度1207959552 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX72
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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HB56UW1673E-A Series
16777216-word
×
72-bit High Density Dynamic RAM Module
ADE-203-823A (Z)
Rev. 1.0
Sep. 17, 1997
Description
The HB56UW1673E-A belongs to 8-byte DIMM (Dual in-line Memory Module) family , and have been
developed an optimized main memory solution for 4 and 8-byte processor applications. The
HB56UW1673E-A is a 16 M
×
72 Dynamic RAM Module, mounted 18 pieces of 64-Mbit DRAM
(HM5165405A) sealed in TSOP package and 2 pieces of 16-bit BiCMOS line driver (74LVT16244) sealed
in TSSOP package. The HB56UW1673E-A offers Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed
access mode. An outline of the HB56UW1673E-A is 168-pin socket type package (dual lead out).
Therefore, the HB56UW1673E-A makes high density mounting possible without surface mount
technology. The HB56UW1673E-A provides common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are
mounted beside each TSOP on the its module board.
Features
168-pin socket type package (Dual lead out)
Lead pitch : 1.27 mm
Single 3.3 V (±0.3 V)
High speed
Access time: t
RAC
= 60 ns/70 ns (max)
Access time: t
CAC
= 20 ns/23 ns (max)
Low power dissipation
Active mode: 10.40 W/9.11 W (max)
Standby mode (TTL): 166 mW (max)
Buffered input except
RAS
and DQ
4 byte interleave enabled, dual address input (A0/B0)
JEDEC standard outline buffered 8-byte DIMM
EDO page mode capability
4096 refresh cycles: 64 ms
2 variations of refresh
RAS-only
refresh
CAS-before-RAS
refresh
TTL compatible

HB56UW1673E-7A相似产品对比

HB56UW1673E-7A HB56UW1673E-6A
描述 EDO DRAM Module, 16MX72, 70ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168 EDO DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168
零件包装代码 DIMM DIMM
针数 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 70 ns 60 ns
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 1207959552 bit 1207959552 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
内存宽度 72 72
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 168 168
字数 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 16MX72 16MX72
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL
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