Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HB56UW1673E-6A

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HB56UW1673E-6A: 产品描述EDO DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168; 产品类别存储存储; 文件大小333KB，共29页; 制造商ELPIDA; 官网地址http://www.elpida.com/en

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HB56UW1673E-6A概述

EDO DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168

HB56UW1673E-6A规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	DIMM
包装说明	,
针数	168
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
内存密度	1207959552 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16MX72
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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HB56UW1673E-A Series

16777216-word

72-bit High Density Dynamic RAM Module

ADE-203-823A (Z)

Rev. 1.0

Sep. 17, 1997

Description

The HB56UW1673E-A belongs to 8-byte DIMM (Dual in-line Memory Module) family , and have been

developed an optimized main memory solution for 4 and 8-byte processor applications. The

HB56UW1673E-A is a 16 M

72 Dynamic RAM Module, mounted 18 pieces of 64-Mbit DRAM

(HM5165405A) sealed in TSOP package and 2 pieces of 16-bit BiCMOS line driver (74LVT16244) sealed

in TSSOP package. The HB56UW1673E-A offers Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed

access mode. An outline of the HB56UW1673E-A is 168-pin socket type package (dual lead out).

Therefore, the HB56UW1673E-A makes high density mounting possible without surface mount

technology. The HB56UW1673E-A provides common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are

mounted beside each TSOP on the its module board.

Features

•

168-pin socket type package (Dual lead out)



Lead pitch : 1.27 mm

•

Single 3.3 V (±0.3 V)

•

High speed



Access time: t

RAC

= 60 ns/70 ns (max)



Access time: t

CAC

= 20 ns/23 ns (max)

•

Low power dissipation



Active mode: 10.40 W/9.11 W (max)



Standby mode (TTL): 166 mW (max)

•

Buffered input except

RAS

and DQ

•

4 byte interleave enabled, dual address input (A0/B0)

•

JEDEC standard outline buffered 8-byte DIMM

•

EDO page mode capability

•

4096 refresh cycles: 64 ms

•

2 variations of refresh



RAS-only

refresh



CAS-before-RAS

refresh

•

TTL compatible

HB56UW1673E-6A相似产品对比

	HB56UW1673E-6A	HB56UW1673E-7A
描述	EDO DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168	EDO DRAM Module, 16MX72, 70ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168
零件包装代码	DIMM	DIMM
针数	168	168
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns	70 ns
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	1207959552 bit	1207959552 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	72	72
功能数量	1	1
端口数量	1	1
端子数量	168	168
字数	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	16MX72	16MX72
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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