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AT29C040A-90JU: 产品描述512K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO32; 产品类别存储存储; 文件大小376KB，共17页; 制造商Atmel (Microchip); 标准

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AT29C040A-90JU概述

512K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO32

512K × 8 FLASH 5V 可编程只读存储器, 90 ns, PDSO32

AT29C040A-90JU规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Atmel (Microchip)
零件包装代码	QFJ
包装说明	LEAD AND HALIDE FREE, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32
针数	32
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	90 ns
启动块	BOTTOM/TOP
命令用户界面	NO
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-PQCC-J32
JESD-609代码	e3
长度	13.97 mm
内存密度	4194304 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
湿度敏感等级	2
功能数量	1
部门数/规模	2K
端子数量	32
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC32,.5X.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
页面大小	256 words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	245
电源	5 V
编程电压	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.556 mm
部门规模	256
最大待机电流	0.0003 A
最大压摆率	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	40
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms

AT29C040A-90JU相似产品对比

	AT29C040A-90JU	AT29C040A-90TU	AT29C040A_08
描述	512K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO32	512K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO32	512K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO32
内存宽度	8	8	8
功能数量	1	1	1
端子数量	32	32	32
组织	512KX8	512KX8	512K × 8
表面贴装	YES	YES	Yes
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	J BEND	GULL WING	GULL WING
端子位置	QUAD	DUAL	双
是否Rohs认证	符合	符合	-
厂商名称	Atmel (Microchip)	Atmel (Microchip)	-
零件包装代码	QFJ	TSOP1	-
包装说明	LEAD AND HALIDE FREE, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32	8 X 20 MM, LEAD AND HALIDE FREE, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32	-
针数	32	32	-
Reach Compliance Code	unknow	unknow	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	-
最长访问时间	90 ns	90 ns	-
启动块	BOTTOM/TOP	BOTTOM/TOP	-
命令用户界面	NO	NO	-
数据轮询	YES	YES	-
JESD-30 代码	R-PQCC-J32	R-PDSO-G32	-
JESD-609代码	e3	e3	-
长度	13.97 mm	18.4 mm	-
内存密度	4194304 bi	4194304 bi	-
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	-
湿度敏感等级	2	3	-
部门数/规模	2K	2K	-
字数	524288 words	524288 words	-
字数代码	512000	512000	-
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-
最高工作温度	85 °C	85 °C	-
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装代码	QCCJ	TSOP1	-
封装等效代码	LDCC32,.5X.6	TSSOP32,.8,20	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	CHIP CARRIER	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	-
页面大小	256 words	256 words	-
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	-
峰值回流温度（摄氏度）	245	260	-
电源	5 V	5 V	-
编程电压	5 V	5 V	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-
座面最大高度	3.556 mm	1.2 mm	-
部门规模	256	256	-
最大待机电流	0.0003 A	0.0003 A	-
最大压摆率	0.04 mA	0.04 mA	-
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	-
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	-
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	-
技术	CMOS	CMOS	-
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	-
端子节距	1.27 mm	0.5 mm	-
处于峰值回流温度下的最长时间	40	30	-
切换位	YES	YES	-
类型	NOR TYPE	NOR TYPE	-
宽度	11.43 mm	8 mm	-
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms	10 ms	-

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