256K X 8 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, PQCC32
256K × 8 FLASH 2.7V 可编程只读存储器, 120 ns, PQCC32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Atmel (Microchip) |
| 零件包装代码 | TSOP1 |
| 包装说明 | 8 X 20 MM, LEAD AND HALIDE FREE, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 120 ns |
| 启动块 | BOTTOM/TOP |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 18.4 mm |
| 内存密度 | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 部门数/规模 | 1K |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 256KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP1 |
| 封装等效代码 | TSSOP32,.8,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 3/3.3 V |
| 编程电压 | 2.7 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 部门规模 | 256 |
| 最大待机电流 | 0.00005 A |
| 最大压摆率 | 0.015 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 切换位 | YES |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 8 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 20 ms |
| Base Number Matches | 1 |
| AT29BV020-12TU | AT29BV020-15JU | AT29BV020_08 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 256K X 8 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, PQCC32 | 256K X 8 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, PQCC32 | 256K X 8 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, PQCC32 |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 | 32 |
| 组织 | 256KX8 | 256KX8 | 256K × 8 |
| 表面贴装 | YES | YES | Yes |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | GULL WING | J BEND | J BEND |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | 四 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - |
| 厂商名称 | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) | - |
| 零件包装代码 | TSOP1 | QFJ | - |
| 包装说明 | 8 X 20 MM, LEAD AND HALIDE FREE, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32 | LEAD AND HALIDE FREE, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32 | - |
| 针数 | 32 | 32 | - |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
| 最长访问时间 | 120 ns | 150 ns | - |
| 启动块 | BOTTOM/TOP | BOTTOM/TOP | - |
| 命令用户界面 | NO | NO | - |
| 数据轮询 | YES | YES | - |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 | R-PQCC-J32 | - |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | - |
| 长度 | 18.4 mm | 13.97 mm | - |
| 内存密度 | 2097152 bit | 2097152 bit | - |
| 内存集成电路类型 | FLASH | FLASH | - |
| 湿度敏感等级 | 3 | 2 | - |
| 部门数/规模 | 1K | 1K | - |
| 字数 | 262144 words | 262144 words | - |
| 字数代码 | 256000 | 256000 | - |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | - |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装代码 | TSOP1 | QCCJ | - |
| 封装等效代码 | TSSOP32,.8,20 | LDCC32,.5X.6 | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | CHIP CARRIER | - |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 245 | - |
| 电源 | 3/3.3 V | 3/3.3 V | - |
| 编程电压 | 2.7 V | 2.7 V | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 3.56 mm | - |
| 部门规模 | 256 | 256 | - |
| 最大待机电流 | 0.00005 A | 0.00005 A | - |
| 最大压摆率 | 0.015 mA | 0.015 mA | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | - |
| 技术 | CMOS | CMOS | - |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | - |
| 端子节距 | 0.5 mm | 1.27 mm | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 40 | - |
| 切换位 | YES | YES | - |
| 类型 | NOR TYPE | NOR TYPE | - |
| 宽度 | 8 mm | 11.43 mm | - |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 20 ms | 20 ms | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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