V58C2256164SCT7I,V58C2256164SCT7I pdf中文资料,V58C2256164SCT7I引脚图,V58C2256164SCT7I电路-Datasheet-电子工程世界

V58C2256164SCT7I: 产品描述DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, PLASTIC, MS-024FC, TSOP2-66; 产品类别存储存储; 文件大小918KB，共61页; 制造商ProMOS Technologies Inc

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V58C2256164SCT7I概述

DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, PLASTIC, MS-024FC, TSOP2-66

参数名称	属性值
零件包装代码	TSSOP2
包装说明	TSSOP,
针数	66
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G66
长度	22.22 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	66
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	16MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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