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DCR820SG65

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 204000mA I(T), 6500V V(DRM),
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小365KB,共8页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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DCR820SG65概述

Silicon Controlled Rectifier, 204000mA I(T), 6500V V(DRM),

DCR820SG65规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
标称电路换相断开时间1200 µs
关态电压最小值的临界上升速率1000 V/us
最大直流栅极触发电流300 mA
最大直流栅极触发电压3 V
最大维持电流120 mA
最大漏电流50 mA
通态非重复峰值电流4800 A
最大通态电流204000 A
最高工作温度125 °C
断态重复峰值电压6500 V
表面贴装NO
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

DCR820SG65相似产品对比

DCR820SG65 DCR820SG64 DCR820SG60 DCR820SG61 DCR820SG62 DCR820SG63
描述 Silicon Controlled Rectifier, 204000mA I(T), 6500V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 204000mA I(T), 6400V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 204000mA I(T), 6000V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 204000mA I(T), 6100V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 204000mA I(T), 6200V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 204000mA I(T), 6300V V(DRM),
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code compliant compliant unknown unknown unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
标称电路换相断开时间 1200 µs 1200 µs 1200 µs 1200 µs 1200 µs 1200 µs
关态电压最小值的临界上升速率 1000 V/us 1000 V/us 1000 V/us 1000 V/us 1000 V/us 1000 V/us
最大直流栅极触发电流 300 mA 300 mA 300 mA 300 mA 300 mA 300 mA
最大直流栅极触发电压 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
最大维持电流 120 mA 120 mA 120 mA 120 mA 120 mA 120 mA
最大漏电流 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA
通态非重复峰值电流 4800 A 4800 A 4800 A 4800 A 4800 A 4800 A
最大通态电流 204000 A 204000 A 204000 A 204000 A 204000 A 204000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
断态重复峰值电压 6500 V 6400 V 6000 V 6100 V 6200 V 6300 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR SCR
厂商名称 - - Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi

 
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