Silicon Controlled Rectifier, 204000mA I(T), 6500V V(DRM),
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
标称电路换相断开时间 | 1200 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 1000 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 300 mA |
最大直流栅极触发电压 | 3 V |
最大维持电流 | 120 mA |
最大漏电流 | 50 mA |
通态非重复峰值电流 | 4800 A |
最大通态电流 | 204000 A |
最高工作温度 | 125 °C |
断态重复峰值电压 | 6500 V |
表面贴装 | NO |
触发设备类型 | SCR |
Base Number Matches | 1 |
DCR820SG65 | DCR820SG64 | DCR820SG60 | DCR820SG61 | DCR820SG62 | DCR820SG63 | |
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描述 | Silicon Controlled Rectifier, 204000mA I(T), 6500V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 204000mA I(T), 6400V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 204000mA I(T), 6000V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 204000mA I(T), 6100V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 204000mA I(T), 6200V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 204000mA I(T), 6300V V(DRM), |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | unknown | unknown | unknow | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
标称电路换相断开时间 | 1200 µs | 1200 µs | 1200 µs | 1200 µs | 1200 µs | 1200 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 1000 V/us | 1000 V/us | 1000 V/us | 1000 V/us | 1000 V/us | 1000 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 300 mA | 300 mA | 300 mA | 300 mA | 300 mA | 300 mA |
最大直流栅极触发电压 | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
最大维持电流 | 120 mA | 120 mA | 120 mA | 120 mA | 120 mA | 120 mA |
最大漏电流 | 50 mA | 50 mA | 50 mA | 50 mA | 50 mA | 50 mA |
通态非重复峰值电流 | 4800 A | 4800 A | 4800 A | 4800 A | 4800 A | 4800 A |
最大通态电流 | 204000 A | 204000 A | 204000 A | 204000 A | 204000 A | 204000 A |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
断态重复峰值电压 | 6500 V | 6400 V | 6000 V | 6100 V | 6200 V | 6300 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
触发设备类型 | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR |
厂商名称 | - | - | Microsemi | Microsemi | Microsemi | Microsemi |
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