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IS42VM16800E-75BLI-TR

产品描述IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54BGA
产品类别存储    存储   
文件大小393KB,共24页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
标准  
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IS42VM16800E-75BLI-TR概述

IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54BGA

IS42VM16800E-75BLI-TR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明BGA-54
Reach Compliance Codeunknown
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码S-PBGA-B54
长度8 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm
Base Number Matches1

IS42VM16800E-75BLI-TR相似产品对比

IS42VM16800E-75BLI-TR IS42VM16800E-75BLI IS45VM16800E-75BLA1 IS45VM16800E-75BLA2 IS42VM32400E-75BLI
描述 IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54BGA Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-54 Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-54 Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-54 Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明 BGA-54 TFBGA, BGA54,9X9,32 TFBGA, BGA54,9X9,32 TFBGA, BGA54,9X9,32 TFBGA, BGA90,9X15,32
Reach Compliance Code unknown compliant compliant compliant compli
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 S-PBGA-B54 S-PBGA-B54 S-PBGA-B54 S-PBGA-B54 R-PBGA-B90
长度 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 13 mm
内存密度 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bi
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 16 16 16 16 32
功能数量 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1
端子数量 54 54 54 54 90
字数 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 4194304 words
字数代码 8000000 8000000 8000000 8000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 105 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 8MX16 8MX16 8MX16 8MX16 4MX32
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 1.95 V 1.95 V 1.95 V 1.95 V 1.95 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 - BGA BGA BGA DSBGA
针数 - 54 54 54 90
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) - 133 MHz 133 MHz 133 MHz 133 MHz
I/O 类型 - COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 - 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8
输出特性 - 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装等效代码 - BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32 BGA90,9X15,32
电源 - 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 - 4096 4096 4096 4096
自我刷新 - YES YES YES YES
连续突发长度 - 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 - 0.000015 A 0.000015 A 0.000015 A 0.000015 A
最大压摆率 - 0.15 mA 0.15 mA 0.15 mA 0.14 mA
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