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BR24L08F-WE1: 产品描述EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDSO8; 产品类别存储存储; 文件大小388KB，共25页; 制造商ROHM(罗姆半导体); 官网地址https://www.rohm.com/; 标准

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BR24L08F-WE1概述

EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDSO8

BR24L08F-WE1规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ROHM(罗姆半导体)
包装说明	SOP, SOP8,.25
Reach Compliance Code	compliant
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DMMR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e3
内存密度	8192 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
湿度敏感等级	1
端子数量	8
字数	1024 words
字数代码	1000
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	2/5 V
认证状态	Not Qualified
串行总线类型	I2C
最大待机电流	0.000002 A
最大压摆率	0.002 mA
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
写保护	HARDWARE
Base Number Matches	1

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Memory ICs

BR24L08-W / BR24L08F-W / BR24L08FJ-W

BR24L08FV-W / BR24L08FVM-W

1024×8 bit electrically erasable PROM

BR24L08-W / BR24L08F-W / BR24L08FJ-W /

BR24L08FV-W / BR24L08FVM-W

The BR24L08-W series is 2-wire (I

C BUS type) serial EEPROMs which are electrically programmable.

∗

I C BUS is a registered trademark of Philips.

Applications

General purpose

Features

1) 1024 registers

8 bits serial architecture.

2) Single power supply (1.8V to 5.5V).

3) Two wire serial interface.

4) Self-timed write cycle with automatic erase.

5) 16byte Page Write mode.

6) Low power consumption.

Write (5V) : 1.5mA (Typ.)

Read (5V) : 0.2mA (Typ.)

Standby (5V) : 0.1µA (Typ.)

7) DATA security

Write protect feature (WP pin).

Inhibit to WRITE at low V

8) Small package - - - DIP8 / SOP8 / SOP-J8 / SSOP-B8 / MSOP-8

9) High reliability EEPROM with Double-Cell structure.

10) High reliability fine pattern CMOS technology.

11) Endurance : 1,000,000 erase / write cycles

12) Data retention : 40 years

13) Filtered inputs in SCL

•

SDA for noise suppression.

14) Initial data FFh in all address.

Absolute maximum ratings

(Ta=25°C)

Parameter

Supply voltage

Symbol

Limits

−0.3

+6.5

800(DIP8)

450(SOP8)

Power dissipation

450(SOP-J8)

300(SSOP-B8)

310(MSOP8)

Storage temperature

Operating temperature

Terminal voltage

∗1

∗2

∗3

∗4

Unit

∗1

∗2

∗3

∗4

Tstg

Topr

−

−65

+125

−40

+85

−0.3

to V

+0.3

°C

Reduced by 8.0mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

Reduced by 4.5mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

Reduced by 3.0mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

Reduced by 3.1mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

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BR24L08F-WE1相似产品对比

	BR24L08F-WE1	BR24L08FJ-WE1	BR24L08FV-WE1
描述	EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDSO8	EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDSO8	EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDSO8,
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
厂商名称	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)
包装说明	SOP, SOP8,.25	SOP, SOP8,.25	TSSOP, TSSOP8,.25
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
数据保留时间-最小值	40	40	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DMMR	1010DMMR	1010DMMR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e3	e3	e2
内存密度	8192 bit	8192 bit	8192 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8
端子数量	8	8	8
字数	1024 words	1024 words	1024 words
字数代码	1000	1000	1000
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	1KX8	1KX8	1KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOP	TSSOP
封装等效代码	SOP8,.25	SOP8,.25	TSSOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	NOT SPECIFIED
电源	2/5 V	2/5 V	2/5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
串行总线类型	I2C	I2C	I2C
最大待机电流	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A
最大压摆率	0.002 mA	0.002 mA	0.002 mA
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	MATTE TIN	MATTE TIN	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	0.635 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
写保护	HARDWARE	HARDWARE	HARDWARE
Base Number Matches	1	1	1
湿度敏感等级	1	1	-

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