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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> BR24L08FJ-WE1
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BR24L08FJ-WE1

产品描述EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDSO8
产品类别存储    存储   
文件大小388KB，共25页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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BR24L08FJ-WE1概述

EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDSO8

BR24L08FJ-WE1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明SOP, SOP8,.25
Reach Compliance Codecompliant
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DMMR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
内存密度8192 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
端子数量8
字数1024 words
字数代码1000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）225
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000002 A
最大压摆率0.002 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
写保护HARDWARE
Base Number Matches1

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Memory ICs
BR24L08-W / BR24L08F-W / BR24L08FJ-W
BR24L08FV-W / BR24L08FVM-W
1024×8 bit electrically erasable PROM
BR24L08-W / BR24L08F-W / BR24L08FJ-W /
BR24L08FV-W / BR24L08FVM-W
The BR24L08-W series is 2-wire (I
2
C BUS type) serial EEPROMs which are electrically programmable.
∗
I C BUS is a registered trademark of Philips.
2
Applications
General purpose
Features
1) 1024 registers
×
8 bits serial architecture.
2) Single power supply (1.8V to 5.5V).
3) Two wire serial interface.
4) Self-timed write cycle with automatic erase.
5) 16byte Page Write mode.
6) Low power consumption.
Write (5V) : 1.5mA (Typ.)
Read (5V) : 0.2mA (Typ.)
Standby (5V) : 0.1µA (Typ.)
7) DATA security
Write protect feature (WP pin).
Inhibit to WRITE at low V
CC
.
8) Small package - - - DIP8 / SOP8 / SOP-J8 / SSOP-B8 / MSOP-8
9) High reliability EEPROM with Double-Cell structure.
10) High reliability fine pattern CMOS technology.
11) Endurance : 1,000,000 erase / write cycles
12) Data retention : 40 years
13) Filtered inputs in SCL
•
SDA for noise suppression.
14) Initial data FFh in all address.
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Supply voltage
Symbol
V
CC
Limits
−0.3
to
+6.5
800(DIP8)
450(SOP8)
Power dissipation
Pd
450(SOP-J8)
300(SSOP-B8)
310(MSOP8)
Storage temperature
Operating temperature
Terminal voltage
∗1
∗2
∗3
∗4
Unit
V
∗1
∗2
∗2
∗3
∗4
mW
Tstg
Topr
−
−65
to
+125
−40
to
+85
−0.3
to V
CC
+0.3
°C
°C
V
Reduced by 8.0mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.
Reduced by 4.5mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.
Reduced by 3.0mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.
Reduced by 3.1mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.
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BR24L08FJ-WE1相似产品对比

BR24L08FJ-WE1 BR24L08FV-WE1 BR24L08F-WE1
描述 EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDSO8 EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDSO8, EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDSO8
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
包装说明 SOP, SOP8,.25 TSSOP, TSSOP8,.25 SOP, SOP8,.25
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
数据保留时间-最小值 40 40 40
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节 1010DMMR 1010DMMR 1010DMMR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 e2 e3
内存密度 8192 bit 8192 bit 8192 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8
端子数量 8 8 8
字数 1024 words 1024 words 1024 words
字数代码 1000 1000 1000
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
组织 1KX8 1KX8 1KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP TSSOP SOP
封装等效代码 SOP8,.25 TSSOP8,.25 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度（摄氏度） 225 NOT SPECIFIED 225
电源 2/5 V 2/5 V 2/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
串行总线类型 I2C I2C I2C
最大待机电流 0.000002 A 0.000002 A 0.000002 A
最大压摆率 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 MATTE TIN Tin/Copper (Sn/Cu) MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 0.635 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
写保护 HARDWARE HARDWARE HARDWARE
Base Number Matches 1 1 1
湿度敏感等级 1 - 1

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