15A, 120V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 120 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 15 A |
最大漏极电流 (ID) | 15 A |
最大漏源导通电阻 | 0.15 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 350 pF |
JEDEC-95代码 | TO-204AA |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 100 W |
最大功率耗散 (Abs) | 100 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 40 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 470 ns |
最大开启时间(吨) | 300 ns |
Base Number Matches | 1 |
RFM15N12 | RFM15N15 | RFP15N12 | |
---|---|---|---|
描述 | 15A, 120V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | 15A, 150V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | 15A, 120V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 15 A | 15 A | 15 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 100 W | 100 W | 75 W |
表面贴装 | NO | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN | - |
最小漏源击穿电压 | 120 V | 150 V | - |
最大漏极电流 (ID) | 15 A | 15 A | - |
最大漏源导通电阻 | 0.15 Ω | 0.15 Ω | - |
最大反馈电容 (Crss) | 350 pF | 350 pF | - |
JEDEC-95代码 | TO-204AA | TO-204AA | - |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 | - |
元件数量 | 1 | 1 | - |
端子数量 | 2 | 2 | - |
封装主体材料 | METAL | METAL | - |
封装形状 | ROUND | ROUND | - |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | - |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
功耗环境最大值 | 100 W | 100 W | - |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 40 A | 40 A | - |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | - |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | - |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | - |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
最大关闭时间(toff) | 470 ns | 470 ns | - |
最大开启时间(吨) | 300 ns | 300 ns | - |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved