电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

RFM15N12

产品描述15A, 120V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小36KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

RFM15N12概述

15A, 120V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

RFM15N12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压120 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)15 A
最大漏极电流 (ID)15 A
最大漏源导通电阻0.15 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)350 pF
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值100 W
最大功率耗散 (Abs)100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)470 ns
最大开启时间(吨)300 ns
Base Number Matches1

RFM15N12相似产品对比

RFM15N12 RFM15N15 RFP15N12
描述 15A, 120V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA 15A, 150V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA 15A, 120V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 15 A 15 A 15 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 100 W 100 W 75 W
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1 1
外壳连接 DRAIN DRAIN -
最小漏源击穿电压 120 V 150 V -
最大漏极电流 (ID) 15 A 15 A -
最大漏源导通电阻 0.15 Ω 0.15 Ω -
最大反馈电容 (Crss) 350 pF 350 pF -
JEDEC-95代码 TO-204AA TO-204AA -
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 -
元件数量 1 1 -
端子数量 2 2 -
封装主体材料 METAL METAL -
封装形状 ROUND ROUND -
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
功耗环境最大值 100 W 100 W -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 40 A 40 A -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG -
端子位置 BOTTOM BOTTOM -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
最大关闭时间(toff) 470 ns 470 ns -
最大开启时间(吨) 300 ns 300 ns -
带你了解【MSP430支持的应用】
...
maylove 微控制器 MCU
杂散电容,寄生电容,分布电容?
最近在处理一些工程问题时对电容的一些说法犯难了,哪位大侠能准确地解释一下杂散电容,寄生电容,分布电容这三者吗?...
wonderfull 模拟电子
EVC中调用WCE软键盘问题
我在 EVC工程里面 加入了 #include "sipapi.h" 文件,并在 “对象/模块库”中加了 coredll.lib当我在 程序里调用 SipShowIM(SIPF_ON);来调用软键盘时,出现了错误!请问下该怎么解决这个问题!!!...
honlha 嵌入式系统
G2553 launchpad 串口,偶尔才能收到
按照论坛上说的 把R, T 跳冒对调。能偶尔收到数据 。但是更重要的是!!!!我外接MAX232串口模块,能很稳定的收到数据。求高手解答我用的是官方代码。如 给串口发“ a”单片机给我回复“a”...
jiantaozzr 微控制器 MCU
求助!电容容值问题?
DC12V的(C1)电容容值咋这么大呢?比下边的24V和32V电容容值都大?必须选这么大么?有啥作用?...
妖骏凯 模拟电子
求各位大虾,pt100的线性化用硬件怎么实现的?
pt100线性化多数用软件来实现,想用硬件来线性化,该怎么做啊?感谢!!...
yubingf22 模拟电子

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 183  218  346  924  1424 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved