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TN1206L: 产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小178KB，共1页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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TN1206L概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

TN1206L规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
配置	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.18 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码	e0
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.8 W
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches	1

TN1206L相似产品对比

	TN1206L	TN2010L	ND2012L	TP1220L	TP2020L	VN1210L
描述	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	Transistor	Transistor	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 120V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
配置	Single	Single	Single	Single	Single	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	DEPLETION MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	N-CHANNEL
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	-
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.18 A	0.18 A	0.16 A	0.12 A	0.12 A	-
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	-
最大功率耗散 (Abs)	0.8 W	0.8 W	0.8 W	0.8 W	0.8 W	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-
是否无铅	-	含铅	含铅	含铅	含铅	-
厂商名称	-	-	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)

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