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A5T3638A

产品描述500mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小77KB,共3页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

A5T3638A概述

500mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

A5T3638A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JESD-30 代码O-PBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.625 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
最大关闭时间(toff)170 ns
最大开启时间(吨)75 ns
Base Number Matches1

A5T3638A相似产品对比

A5T3638A A5T3638
描述 500mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 500mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 25 V 25 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 20
JESD-30 代码 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.625 W 0.625 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 150 MHz 100 MHz
最大关闭时间(toff) 170 ns 170 ns
最大开启时间(吨) 75 ns 75 ns
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