BRY55/300概述

Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 300V V(DRM),

BRY55/300规格参数

参数名称	属性值
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
标称电路换相断开时间	30 µs
关态电压最小值的临界上升速率	10 V/us
最大直流栅极触发电流	0.5 mA
最大直流栅极触发电压	1 V
最大维持电流	10 mA
最大漏电流	0.05 mA
通态非重复峰值电流	8 A
最大通态电流	800 A
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
断态重复峰值电压	300 V
表面贴装	NO
触发设备类型	SCR
Base Number Matches	1

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BRY55/300相似产品对比

	BRY55/300	BRY55/100	BRY55/200	BRY55/30	BRY55/60
描述	Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 300V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 100V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 200V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 30V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 60V V(DRM),
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
标称电路换相断开时间	30 µs	30 µs	30 µs	30 µs	30 µs
关态电压最小值的临界上升速率	10 V/us	10 V/us	10 V/us	10 V/us	10 V/us
最大直流栅极触发电流	0.5 mA	0.5 mA	0.5 mA	0.5 mA	0.5 mA
最大直流栅极触发电压	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V
最大维持电流	10 mA	10 mA	10 mA	10 mA	10 mA
最大漏电流	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA
通态非重复峰值电流	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A
最大通态电流	800 A	800 A	800 A	800 A	800 A
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
断态重复峰值电压	300 V	100 V	200 V	30 V	60 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
触发设备类型	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR
Base Number Matches	1	1	1	1	1

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