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BRY55/200

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 200V V(DRM),
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小235KB,共4页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BRY55/200概述

Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 200V V(DRM),

BRY55/200规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
标称电路换相断开时间30 µs
关态电压最小值的临界上升速率10 V/us
最大直流栅极触发电流0.5 mA
最大直流栅极触发电压1 V
最大维持电流10 mA
最大漏电流0.05 mA
通态非重复峰值电流8 A
最大通态电流800 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
断态重复峰值电压200 V
表面贴装NO
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

BRY55/200相似产品对比

BRY55/200 BRY55/100 BRY55/30 BRY55/300 BRY55/60
描述 Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 200V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 100V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 30V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 300V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 60V V(DRM),
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
标称电路换相断开时间 30 µs 30 µs 30 µs 30 µs 30 µs
关态电压最小值的临界上升速率 10 V/us 10 V/us 10 V/us 10 V/us 10 V/us
最大直流栅极触发电流 0.5 mA 0.5 mA 0.5 mA 0.5 mA 0.5 mA
最大直流栅极触发电压 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V
最大维持电流 10 mA 10 mA 10 mA 10 mA 10 mA
最大漏电流 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA
通态非重复峰值电流 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A
最大通态电流 800 A 800 A 800 A 800 A 800 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
断态重复峰值电压 200 V 100 V 30 V 300 V 60 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR
Base Number Matches 1 1 1 1 1
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