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GS8150V18AGB-333IT

产品描述Late-Write SRAM, 1MX18, 1.5ns, CMOS, PBGA119, ROHS COMPLIANT, FBGA-119
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文件大小587KB,共25页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
标准  
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GS8150V18AGB-333IT概述

Late-Write SRAM, 1MX18, 1.5ns, CMOS, PBGA119, ROHS COMPLIANT, FBGA-119

GS8150V18AGB-333IT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数119
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间1.5 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e1
长度22 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型LATE-WRITE SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量119
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.99 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
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