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EDI88512LPA25CM

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, CDIP32,
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文件大小208KB,共8页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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EDI88512LPA25CM概述

Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, CDIP32,

EDI88512LPA25CM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间25 ns
其他特性TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDIP-T32
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.002 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.225 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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