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HSK83

产品描述0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小41KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HSK83概述

0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE

HSK83规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明LLD, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码O-PELF-R2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压300 V
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装YES
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
Base Number Matches1

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HSK83
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching
REJ03G0191-0400Z
(Previous: ADE-208-169C)
Rev.4.00
Mar.22.2004
Features
High reverse voltage. (V
R
= 250 V)
LLD package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.
Ordering Information
Type No.
HSK83
Cathode band
White
2nd band
Verdure
Package Code
LLD
Pin Arrangement
Cathode band
1
2nd. band
Cathode band
1
2nd. band
2
2
1. Cathode
2. Anode
Rev.4.00, Mar.22.2004, page 1 of 4

 
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