FX3ASJ-3,FX3ASJ-3 pdf中文资料,FX3ASJ-3引脚图,FX3ASJ-3电路-Datasheet-电子工程世界

FX3ASJ-3: 产品描述High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小168KB，共7页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

FX3ASJ-3概述

High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

	FX3ASJ-3	FX3ASJ-3-T13
描述	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	SC-63	SC-63
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	MP-3A, SC-63, 3 PIN
针数	3	3
Reach Compliance Code	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	150 V	150 V
最大漏极电流 (ID)	3 A	3 A
最大漏源导通电阻	1.32 Ω	1.32 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
元件数量	1	1
端子数量	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	12 A	12 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY