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FS30KMJ-06F-A8

产品描述30 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小96KB,共7页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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FS30KMJ-06F-A8概述

30 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

30 A, 60 V, 0.028 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

FS30KMJ-06F-A8规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码TO-220AB
包装说明TO-220FN, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)30 A
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.028 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)120 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

FS30KMJ-06F-A8相似产品对比

FS30KMJ-06F-A8 FS30KMJ-06F
描述 30 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 30 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB
包装说明 TO-220FN, 3 PIN FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 30 A 30 A
最大漏极电流 (ID) 30 A 30 A
最大漏源导通电阻 0.028 Ω 0.028 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 25 W 25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 120 A 120 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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