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2SD756

产品描述Silicon NPN Epitaxial
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小142KB,共7页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SD756概述

Silicon NPN Epitaxial

2SD756规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.05 A
集电极-发射极最大电压120 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)125
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)350 MHz
Base Number Matches1

2SD756相似产品对比

2SD756 2SD755 2SD756A
描述 Silicon NPN Epitaxial Silicon NPN Epitaxial Silicon NPN Epitaxial
零件包装代码 TO-92 TO-92 TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 TO-92MOD, 3 PIN
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compli unknow compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A 0.05 A
集电极-发射极最大电压 120 V 100 V 140 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 125 125 125
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 350 MHz 350 MHz 350 MHz
Base Number Matches 1 1 1
是否Rohs认证 不符合 - 不符合
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