4 M SRAM (256-kword ⅴ 16-bit)
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | TSOP2 |
包装说明 | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 |
针数 | 44 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 70 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G44 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 18.41 mm |
内存密度 | 4194304 bi |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 44 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256KX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP2 |
封装等效代码 | TSOP44,.46,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm |
最小待机电流 | 2 V |
最大压摆率 | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 10.16 mm |
HM62W16258BLTT-7 | HM62W16258BLTT-5 | HM62W16258B | HM62W16258BLTT-5SL | HM62W16258BLTT-7SL | |
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描述 | 4 M SRAM (256-kword ⅴ 16-bit) | 4 M SRAM (256-kword ⅴ 16-bit) | 4 M SRAM (256-kword ⅴ 16-bit) | 4 M SRAM (256-kword ⅴ 16-bit) | 4 M SRAM (256-kword ⅴ 16-bit) |
是否无铅 | 含铅 | - | - | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | - | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | - | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | TSOP2 | TSOP2 | - | TSOP2 | TSOP2 |
包装说明 | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 | TSOP2, TSOP44,.46,32 | - | TSOP2, TSOP44,.46,32 | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 |
针数 | 44 | 44 | - | 44 | 44 |
Reach Compliance Code | unknow | compli | - | compli | unknow |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | - | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 70 ns | 55 ns | - | 55 ns | 70 ns |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | - | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G44 | R-PDSO-G44 | - | R-PDSO-G44 | R-PDSO-G44 |
JESD-609代码 | e0 | - | - | e0 | e0 |
长度 | 18.41 mm | 18.41 mm | - | 18.41 mm | 18.41 mm |
内存密度 | 4194304 bi | 4194304 bi | - | 4194304 bi | 4194304 bi |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | - | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 16 | 16 | - | 16 | 16 |
功能数量 | 1 | 1 | - | 1 | 1 |
端子数量 | 44 | 44 | - | 44 | 44 |
字数 | 262144 words | 262144 words | - | 262144 words | 262144 words |
字数代码 | 256000 | 256000 | - | 256000 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | - | 70 °C | 70 °C |
组织 | 256KX16 | 256KX16 | - | 256KX16 | 256KX16 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP2 | TSOP2 | - | TSOP2 | TSOP2 |
封装等效代码 | TSOP44,.46,32 | TSOP44,.46,32 | - | TSOP44,.46,32 | TSOP44,.46,32 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | - | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 3.3 V | 3.3 V | - | 3.3 V | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | - | 1.2 mm | 1.2 mm |
最小待机电流 | 2 V | 2 V | - | 2 V | 2 V |
最大压摆率 | 0.07 mA | 0.08 mA | - | 0.08 mA | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | - | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | - | 3 V | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | - | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES | - | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | - | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | - | 0.8 mm | 0.8 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | - | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 10.16 mm | 10.16 mm | - | 10.16 mm | 10.16 mm |
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