UPD431636LGF-A6,UPD431636LGF-A6 pdf中文资料,UPD431636LGF-A6引脚图,UPD431636LGF-A6电路-Datasheet-电子工程世界

UPD431636LGF-A6: 产品描述IC,SYNC SRAM,32KX36,CMOS,QFP,100PIN,PLASTIC; 产品类别存储存储; 文件大小184KB，共24页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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UPD431636LGF-A6概述

IC,SYNC SRAM,32KX36,CMOS,QFP,100PIN,PLASTIC

	UPD431636LGF-A6	UPD431636LGF-A7
描述	IC,SYNC SRAM,32KX36,CMOS,QFP,100PIN,PLASTIC	IC,SYNC SRAM,32KX36,CMOS,QFP,100PIN,PLASTIC
是否Rohs认证	不符合	不符合
Reach Compliance Code	unknown	unknown
最长访问时间	4.6 ns	5 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0
内存密度	1179648 bit	1179648 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	36	36
端子数量	100	100
字数	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	32KX36	32KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QFP	QFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
电源	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.02 A	0.02 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.22 mA	0.2 mA
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.635 mm	0.635 mm
端子位置	QUAD	QUAD
Base Number Matches	1	1

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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