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HAF2007

产品描述Silicon N Channel MOSFET Series Power Switching
文件大小88KB,共9页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HAF2007概述

Silicon N Channel MOSFET Series Power Switching

HAF2007相似产品对比

HAF2007 HAF2007-90L HAF2007S HAF2007L HAF2007-90STR HAF2007-90STL HAF2007-90S
描述 Silicon N Channel MOSFET Series Power Switching Silicon N Channel MOSFET Series Power Switching Silicon N Channel MOSFET Series Power Switching Silicon N Channel MOSFET Series Power Switching Silicon N Channel MOSFET Series Power Switching Silicon N Channel MOSFET Series Power Switching Silicon N Channel MOSFET Series Power Switching
是否无铅 - 含铅 - - 不含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 - 不符合 - - 符合 不符合 不符合
厂商名称 - Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
包装说明 - DPAK-3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SC-63, DPAK-3 SC-63, DPAK-3
针数 - 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code - unknow compli compli compli unknow unknow
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 - BUILT-IN OVER TEMPERATURE SHUT-DOWN CIRCUIT, LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE BUILT-IN OVER TEMPERATURE SHUT-DOWN CIRCUIT, LOGIC LEVEL COMPATIBLE BUILT-IN OVER TEMPERATURE SHUT-DOWN CIRCUIT, LOGIC LEVEL COMPATIBLE BUILT-IN OVER TEMPERATURE SHUT-DOWN CIRCUIT, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接 - DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 - 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) - 5 A - 5 A 5 A 5 A 5 A
最大漏极电流 (ID) - 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A
最大漏源导通电阻 - 0.12 Ω 0.12 Ω 0.12 Ω 0.12 Ω 0.12 Ω 0.12 Ω
FET 技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 - R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 - 1 1 1 1 1 1
端子数量 - 3 2 3 2 2 2
工作模式 - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 - 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - 225 - - NOT SPECIFIED 225 225
极性/信道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) - 20 W - 20 W 20 W 20 W 20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) - 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - NO YES NO YES YES YES
端子形式 - THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
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