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2SC5080ZD-TL-E

产品描述Silicon NPN Epitaxial
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小192KB,共8页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SC5080ZD-TL-E概述

Silicon NPN Epitaxial

2SC5080ZD-TL-E规格参数

参数名称属性值
包装说明MPAK-4
针数4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.05 A
基于收集器的最大容量0.75 pF
集电极-发射极最大电压8 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)13500 MHz
Base Number Matches1

2SC5080ZD-TL-E相似产品对比

2SC5080ZD-TL-E 2SC5080
描述 Silicon NPN Epitaxial Silicon NPN Epitaxial
包装说明 MPAK-4 MPAK-4
针数 4 4
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A
基于收集器的最大容量 0.75 pF 0.75 pF
集电极-发射极最大电压 8 V 8 V
配置 SINGLE SINGLE
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
元件数量 1 1
端子数量 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 13500 MHz 13500 MHz
Base Number Matches 1 1

 
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