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HIT673

产品描述Silicon PNP Epitaxial
文件大小107KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HIT673概述

Silicon PNP Epitaxial

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HIT673
Silicon PNP Epitaxial
REJ03G1608-0100
Rev.1.00
Nov 28, 2007
Features
Low frequency power amplifier
Complementary pair with HIT1213
Outline
RENESAS Package code: PRSS0003DA-A
(Package name: TO-92 (1))
1. Emitter
2. Collector
3. Base
3
2
1
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector peak current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Note:
PW
10 ms, Duty cycle
20%
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C (peak) Note
P
C
Tj
Tstg
Ratings
–50
–50
–5
–0.5
–1.0
0.4
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
REJ03G1608-0100 Rev.1.00 Nov 28, 2007
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HIT673相似产品对比

HIT673 HIT673-EQ HIT673-TZ-EQ
描述 Silicon PNP Epitaxial Silicon PNP Epitaxial Silicon PNP Epitaxial
是否无铅 - 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 - 符合 符合
零件包装代码 - TO-92 TO-92
包装说明 - SC-43A, 3 PIN CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数 - 3 3
Reach Compliance Code - unknow compli
ECCN代码 - EAR99 EAR99
其他特性 - NOT FOR AUTOMOTIVE OR INDUSTRIAL USE NOT FOR AUTOMOTIVE OR INDUSTRIAL USE
最大集电极电流 (IC) - 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 - 50 V 50 V
配置 - SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) - 60 60
JEDEC-95代码 - TO-92 TO-92
JESD-30 代码 - O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
湿度敏感等级 - 1 1
元件数量 - 1 1
端子数量 - 3 3
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - ROUND ROUND
封装形式 - CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 - PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) - 0.4 W 0.4 W
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - NO NO
端子形式 - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 - BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 - AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
Base Number Matches - 1 1
调试问题
No entries selected. Make a selection before continuing 怎么办...
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关于进程退出很easy的问题
int task1() { int fd; int send_len=0; char SendBuf = "com0 send test!"; fd = open("/tyCo/0",O_RDWR,0); if(fd == ERROR) { re ......
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