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IPA65R660CFDXKSA2

产品描述Power Field-Effect Transistor, TO-220FP, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小4MB,共21页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IPA65R660CFDXKSA2概述

Power Field-Effect Transistor, TO-220FP, 3 PIN

IPA65R660CFDXKSA2规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
Base Number Matches1

IPA65R660CFDXKSA2相似产品对比

IPA65R660CFDXKSA2 IPD65R660CFD IPD65R660CFDAT IPD65R660CFDBT
描述 Power Field-Effect Transistor, TO-220FP, 3 PIN Voltage References Ultra-High-Precision Ultra-Low-Noise Power Field-Effect Transistor Power Field-Effect Transistor
包装说明 , SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code compliant not_compliant compliant compliant
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合
厂商名称 - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
雪崩能效等级(Eas) - 115 mJ 115 mJ 115 mJ
外壳连接 - DRAIN DRAIN DRAIN
配置 - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 - 650 V 650 V 650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) - 6 A 6 A 6 A
最大漏极电流 (ID) - 6 A 6 A 6 A
最大漏源导通电阻 - 0.66 Ω 0.66 Ω 0.66 Ω
FET 技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 - TO-252 TO-252 TO-252
JESD-30 代码 - R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 - 1 1 1
端子数量 - 2 2 2
工作模式 - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 - 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 - -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) - 17 A 17 A 17 A
表面贴装 - YES YES YES
端子形式 - GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 - SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON SILICON

 
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