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NAND01GW3B2AN6E: 产品描述Flash, 128MX8, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48; 产品类别存储存储; 文件大小825KB，共57页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/; 标准

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Flash, 128MX8, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSSOP,
针数	48
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.1.A
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e3
长度	18.4 mm
内存密度	1073741824 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	48
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
编程电压	3 V
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
类型	NAND TYPE
宽度	12 mm
Base Number Matches	1

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