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UL62H256BS1A55: 产品描述Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28; 产品类别存储存储; 文件大小80KB，共9页; 制造商Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)

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UL62H256BS1A55概述

Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28

UL62H256BS1A55规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP,
针数	28
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	55 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e0
长度	18.1 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.54 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	8.75 mm
Base Number Matches	1

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UL62H256B

Low Voltage Automotive Fast 32K x 8 SRAM

Features

32768 x 8 bit static CMOS RAM

35 and 55 ns Access Time

Common data inputs and

Description

The UL62H256B is a static RAM

manufactured using a CMOS pro-

cess technology with the following

operating modes:

- Read

- Standby

- Write

- Data Retention

The memory array is based on a

6-Transistor cell.

The circuit is activated by the fal-

ling edge of E. The address and

control inputs open simultaneously.

According to the information of W

and G, the data inputs, or outputs,

are active. In a Read cycle, the

data outputs are activated by the

falling edge of G, afterwards the

data word will be available at the

outputs DQ0-DQ7. After the

address change, the data outputs

go High-Z until the new information

is available. The data outputs have

no preferred state. The Read cycle

is finished by the falling edge of W,

or by the rising edge of E, respec-

tively.

Data retention is guaranteed down

to 1.5 V. With the exception of E, all

inputs consist of NOR gates, so

that no pull-up/pull-down resistors

are required.

data outputs

Three-state outputs

Typ. operating supply current

35 ns: 45mA

55 ns: 30mA

Standby current < 50 µA at 125°C

Power supply voltage 2.5 V

Operating temperature range

-40 °C to 85 °C

-40 °C to 125 °C

CECC 90000 Quality Standard

ESD protection > 2000 V

(MIL STD 883C M3015.7)

Latch-up immunity >100 mA

Package: SOP28 (300/330 mil)

Pin Configuration

Pin Description

A14

A12

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

VCC

A13

A11

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

Signal Name

A0 - A14

DQ0 - DQ7

VCC

VSS

Signal Description

Address Inputs

Data In/Out

Chip Enable

Output Enable

Write Enable

Power Supply Voltage

Ground

SOP

Top View

November 01, 2001

UL62H256BS1A55相似产品对比

	UL62H256BS1A55	UL62H256BSA55	UL62H256BSA35	UL62H256BS1A35	UL62H256BS1K35	UL62H256BSK35	UL62H256BSK55	UL62H256BS1K55
描述	Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28	Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOP-28	Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOP-28	Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28	Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28	Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOP-28	Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOP-28	Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC
包装说明	SOP,	SOP,	SOP,	SOP,	SOP,	SOP,	SOP,	SOP,
针数	28	28	28	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compli	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	55 ns	55 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	55 ns	55 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	18.1 mm	17.9 mm	17.9 mm	18.1 mm	18.1 mm	17.9 mm	17.9 mm	18.1 mm
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bi	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28	28	28
字数	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOP	SOP	SOP	SOP	SOP	SOP	SOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	225	225	240	240	225	225	240
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.54 mm	2.65 mm	2.65 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.65 mm	2.65 mm	2.54 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30	30
宽度	8.75 mm	7.5 mm	7.5 mm	8.75 mm	8.75 mm	7.5 mm	7.5 mm	8.75 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	-	-
厂商名称	-	Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)	Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)	-	-	Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)	Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)	Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)

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