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IS93C56A-3GRI

产品描述EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8
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文件大小65KB,共13页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS93C56A-3GRI概述

EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8

IS93C56A-3GRI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
备用内存宽度8
最大时钟频率 (fCLK)1 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
长度4.9 mm
内存密度2048 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量8
字数128 words
字数代码128
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128X16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.73 mm
串行总线类型MICROWIRE
最大待机电流0.000001 A
最大压摆率0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
写保护SOFTWARE
Base Number Matches1
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