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SFF2005GAC0

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 300V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小392KB，共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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SFF2005GAC0概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 300V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN

SFF2005GAC0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压300 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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SFF2004GA thru SFF2008GA
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- High efficiency, low VF
- High current capability
- High reliability
- High surge current capability
- Low power loss
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Isolated Glass Passivated Super Fast Rectifier
ITO-220AB
MECHANICAL DATA
Case:
ITO-220AB
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
As marked
Mounting torque:
5 in-lbs maximum
Weight:
1.7 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
SFF
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
I
F
= 10 A
Maximum reverse current @ rated VR
Maximum reverse recovery time (Note 2)
Typical junction capacitance (Note 3)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
T
J
=25
℃
T
J
=125
℃
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Trr
Cj
R
θJC
T
J
T
STG
0.975
2004
GA
200
140
200
SFF
2005
GA
300
210
300
20
150
1.3
10
400
35
90
3.1
- 55 to +150
- 55 to +150
O
SFF
2006
GA
400
280
400
SFF
2008
GA
600
420
600
V
V
V
A
A
1.7
V
μA
ns
pF
C/W
O
O
UNIT
C
C
Document Number: DS_D1401003
Version: D14

SFF2005GAC0相似产品对比

SFF2005GAC0 SFF2005GAC0G SFF2004GAC0G SFF2004GAC0 SFF2006GAC0G SFF2006GAC0 SFF2008GAC0 SFF2008GAC0G
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 300V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 300V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 400V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 400V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 ITO-220AB, 3 PIN ITO-220AB, 3 PIN ITO-220AB, 3 PIN ITO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.3 V 1.3 V 0.975 V 0.975 V 1.3 V 1.3 V 1.7 V 1.7 V
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流 150 A 150 A 150 A 150 A 150 A 150 A 150 A 150 A
元件数量 2 2 2 2 2 2 2 2
相数 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 300 V 300 V 200 V 200 V 400 V 400 V 600 V 600 V
最大反向电流 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA
最大反向恢复时间 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE

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