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BUW35

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小118KB,共3页
制造商Inchange Semiconductor
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BUW35概述

Transistor

BUW35规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)8
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)125 W
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max1.5 V
Base Number Matches1

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Inchange Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
BUW35
DESCRIPTION
・With
TO-3 package
・High
breakdown voltage
APPLICATIONS
・For
high voltage ,fast switching
applications
PINNING (See Fig.2)
PIN
1
2
3
Base
Emitter
Collector
Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol
DESCRIPTION
Absolute maximum ratings(Ta=25
)
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
stg
固电
Collector-base voltage
导½
PARAMETER
CONDITIONS
Open emitter
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
INC
Collector current
Collector current-peak
ANG
H
MIC
E SE
Open base
Open collector
T
C
≤25℃
OR
UCT
ND
O
VALUE
800
400
7
10
15
5
125
200
-65~200
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
Base current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
R
th j-c
PARAMETER
Thermal resistance from junction to case
VALUE
1.4
UNIT
℃/W
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