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BUW35

产品描述10A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小154KB,共8页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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BUW35概述

10A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3

BUW35规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codenot_compliant
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)8
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值125 W
最大功率耗散 (Abs)125 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)3800 ns
最大开启时间(吨)700 ns
VCEsat-Max1.5 V
Base Number Matches1

BUW35相似产品对比

BUW35 BUW36 BUW34
描述 10A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 10A, 450V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 10A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 10 A 10 A 10 A
集电极-发射极最大电压 400 V 450 V 400 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 8 8 8
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN
功耗环境最大值 125 W 125 W 125 W
最大功率耗散 (Abs) 125 W 125 W 125 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 3800 ns 3800 ns 3800 ns
最大开启时间(吨) 700 ns 700 ns 700 ns
VCEsat-Max 1.5 V 3 V 1.5 V
Base Number Matches 1 1 -
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