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SST29LE020-200-4I-NHE

产品描述Flash, 256KX8, 200ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32
产品类别存储    存储   
文件大小771KB,共26页
制造商Silicon Laboratories Inc
标准
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供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SST29LE020-200-4I-NHE概述

Flash, 256KX8, 200ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32

SST29LE020-200-4I-NHE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码QFJ
包装说明LEAD FREE, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间200 ns
JESD-30 代码R-PQCC-J32
长度13.97 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.556 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
宽度11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
Base Number Matches1
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