EPROM, 32KX8, 300ns, MOS, CQCC32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | QCCN, LCC32,.45X.55 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 300 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XQCC-N32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存宽度 | 8 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 电源 | 5 V |
| 编程电压 | 12.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大压摆率 | 0.1 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| Base Number Matches | 1 |
| MBM27256-30CV | MBM27256-20CV | MBM27256-25CV | MBM27256-25Z-X | MBM27256-17CV | MBM27256-20Z-X | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | EPROM, 32KX8, 300ns, MOS, CQCC32 | EPROM, 32KX8, 200ns, MOS, CQCC32 | EPROM, 32KX8, 250ns, MOS, CQCC32 | EPROM, 32KX8, 250ns, MOS, CDIP28 | EPROM, 32KX8, 170ns, MOS, CQCC32 | EPROM, 32KX8, 200ns, MOS, CDIP28 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | QCCN, LCC32,.45X.55 | QCCN, LCC32,.45X.55 | QCCN, LCC32,.45X.55 | DIP, DIP28,.6 | QCCN, LCC32,.45X.55 | DIP, DIP28,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | compliant | unknown | compli |
| 最长访问时间 | 300 ns | 200 ns | 250 ns | 250 ns | 170 ns | 200 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XQCC-N32 | R-XQCC-N32 | R-XQCC-N32 | R-XDIP-T28 | R-XQCC-N32 | R-XDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bi |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 端子数量 | 32 | 32 | 32 | 28 | 32 | 28 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 85 °C | 70 °C | 85 °C |
| 组织 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | QCCN | QCCN | QCCN | DIP | QCCN | DIP |
| 封装等效代码 | LCC32,.45X.55 | LCC32,.45X.55 | LCC32,.45X.55 | DIP28,.6 | LCC32,.45X.55 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | IN-LINE | CHIP CARRIER | IN-LINE |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 编程电压 | 12.5 V | 12.5 V | 12.5 V | 12.5 V | 12.5 V | 12.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大压摆率 | 0.1 mA | 0.1 mA | 0.1 mA | 0.12 mA | 0.1 mA | 0.12 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | NO | YES | NO |
| 技术 | MOS | MOS | MOS | MOS | MOS | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | THROUGH-HOLE | NO LEAD | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD | DUAL | QUAD | DUAL |
| 厂商名称 | - | - | FUJITSU(富士通) | FUJITSU(富士通) | FUJITSU(富士通) | FUJITSU(富士通) |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
