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K4R881869D-FCK80

产品描述Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA92, WBGA-92
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文件大小312KB,共20页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K4R881869D-FCK80概述

Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA92, WBGA-92

K4R881869D-FCK80规格参数

参数名称属性值
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数92
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式BLOCK ORIENTED PROTOCOL
其他特性SELF CONTAINED REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B92
长度15.1 mm
内存密度301989888 bit
内存集成电路类型RAMBUS DRAM
内存宽度18
功能数量1
端口数量1
端子数量92
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织16MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.08 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.63 V
最小供电电压 (Vsup)2.37 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度9.3 mm
Base Number Matches1

K4R881869D-FCK80相似产品对比

K4R881869D-FCK80 K4R571669D-FCN90 K4R571669D-FCT90 K4R881869D-FCT90 K4R571669D-FCM90 K4R571669D-FCM80 K4R881869D-FCM80 K4R881869D-FCM90 K4R881869D-FCN90 K4R571669D-FCK80
描述 Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA92, WBGA-92 Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92 Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92 Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA92, WBGA-92 Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92 Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92 Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA92, WBGA-92 Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA92, WBGA-92 Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, PBGA92, WBGA-92 Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 TFBGA, TFBGA, TFBGA, TFBGA, TFBGA, TFBGA, TFBGA, TFBGA, TFBGA, TFBGA,
针数 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL
其他特性 SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B92 R-PBGA-B92 R-PBGA-B92 R-PBGA-B92 R-PBGA-B92 R-PBGA-B92 R-PBGA-B92 R-PBGA-B92 R-PBGA-B92 R-PBGA-B92
长度 15.1 mm 15.1 mm 15.1 mm 15.1 mm 15.1 mm 15.1 mm 15.1 mm 15.1 mm 15.1 mm 15.1 mm
内存密度 301989888 bit 268435456 bit 268435456 bit 301989888 bit 268435456 bit 268435456 bit 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM
内存宽度 18 16 16 18 16 16 18 18 18 16
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 16MX18 16MX16 16MX16 16MX18 16MX16 16MX16 16MX18 16MX18 16MX18 16MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.08 mm 1.08 mm 1.08 mm 1.08 mm 1.08 mm 1.08 mm 1.08 mm 1.08 mm 1.08 mm 1.08 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V
最小供电电压 (Vsup) 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 9.3 mm 9.3 mm 9.3 mm 9.3 mm 9.3 mm 9.3 mm 9.3 mm 9.3 mm 9.3 mm 9.3 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1 1 -
厂商名称 - SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) - - - SAMSUNG(三星)
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