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V826765G24SBJW-D3

产品描述DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, GREEN, SODIMM-200
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文件大小176KB,共14页
制造商ProMOS Technologies Inc
标准
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V826765G24SBJW-D3概述

DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, GREEN, SODIMM-200

V826765G24SBJW-D3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码SODIMM
包装说明DIMM, DIMM200,24
针数200
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XZMA-N200
JESD-609代码e4
内存密度8589934592 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM200,24
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.6 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大待机电流0.16 A
最大压摆率3.36 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)2.6 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Gold (Au)
端子形式NO LEAD
端子节距0.6 mm
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

V826765G24SBJW-D3相似产品对比

V826765G24SBJW-D3 V826765G24SBJW-C0 V826765G24SBSG-C0 V826765G24SBSG-D3 V826765G24SBSL-C0
描述 DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, GREEN, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, GREEN, SODIMM-200 Cache DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, PDMA200 Cache DRAM Module, 128MX64, 0.65ns, CMOS, PDMA200 Cache DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, PDMA200
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 0.7 ns 0.7 ns 0.7 ns 0.65 ns 0.7 ns
最大时钟频率 (fCLK) 200 MHz 166 MHz 166 MHz 200 MHz 166 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 R-PDMA-N200 R-PDMA-N200 R-PDMA-N200
内存密度 8589934592 bit 8589934592 bit 8589934592 bit 8589934592 bit 8589934592 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE CACHE DRAM MODULE CACHE DRAM MODULE CACHE DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 64 64
端子数量 200 200 200 200 200
字数 134217728 words 134217728 words 134217728 words 134217728 words 134217728 words
字数代码 128000000 128000000 128000000 128000000 128000000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128MX64 128MX64 128MX64 128MX64 128MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2.6 V 2.5 V 2.5 V 2.6 V 2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192
最大待机电流 0.16 A 0.16 A 0.16 A 0.16 A 0.16 A
最大压摆率 3.36 mA 3.28 mA 3.28 mA 3.36 mA 3.28 mA
标称供电电压 (Vsup) 2.6 V 2.5 V 2.5 V 2.6 V 2.5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm
端子位置 ZIG-ZAG ZIG-ZAG DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4 -
端子面层 Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) -
是否无铅 - - 含铅 含铅 含铅
Objectid - - 1126060305 1126060306 1126060307

 
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