DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, GREEN, SODIMM-200
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | SODIMM |
包装说明 | DIMM, DIMM200,24 |
针数 | 200 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.7 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XZMA-N200 |
JESD-609代码 | e4 |
内存密度 | 8589934592 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE |
内存宽度 | 64 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 200 |
字数 | 134217728 words |
字数代码 | 128000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 128MX64 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM |
封装等效代码 | DIMM200,24 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 2.6 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 |
自我刷新 | YES |
最大待机电流 | 0.16 A |
最大压摆率 | 3.36 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.6 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Gold (Au) |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 0.6 mm |
端子位置 | ZIG-ZAG |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
V826765G24SBJW-D3 | V826765G24SBJW-C0 | V826765G24SBSG-C0 | V826765G24SBSG-D3 | V826765G24SBSL-C0 | |
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描述 | DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, GREEN, SODIMM-200 | DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, GREEN, SODIMM-200 | Cache DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, PDMA200 | Cache DRAM Module, 128MX64, 0.65ns, CMOS, PDMA200 | Cache DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, PDMA200 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | DIMM, DIMM200,24 | DIMM, DIMM200,24 | DIMM, DIMM200,24 | DIMM, DIMM200,24 | DIMM, DIMM200,24 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 0.7 ns | 0.7 ns | 0.7 ns | 0.65 ns | 0.7 ns |
最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz | 166 MHz | 166 MHz | 200 MHz | 166 MHz |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XZMA-N200 | R-XZMA-N200 | R-PDMA-N200 | R-PDMA-N200 | R-PDMA-N200 |
内存密度 | 8589934592 bit | 8589934592 bit | 8589934592 bit | 8589934592 bit | 8589934592 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | CACHE DRAM MODULE | CACHE DRAM MODULE | CACHE DRAM MODULE |
内存宽度 | 64 | 64 | 64 | 64 | 64 |
端子数量 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 |
字数 | 134217728 words | 134217728 words | 134217728 words | 134217728 words | 134217728 words |
字数代码 | 128000000 | 128000000 | 128000000 | 128000000 | 128000000 |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 128MX64 | 128MX64 | 128MX64 | 128MX64 | 128MX64 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
封装等效代码 | DIMM200,24 | DIMM200,24 | DIMM200,24 | DIMM200,24 | DIMM200,24 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 2.6 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.6 V | 2.5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 | 8192 | 8192 | 8192 | 8192 |
最大待机电流 | 0.16 A | 0.16 A | 0.16 A | 0.16 A | 0.16 A |
最大压摆率 | 3.36 mA | 3.28 mA | 3.28 mA | 3.36 mA | 3.28 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 2.6 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.6 V | 2.5 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
端子节距 | 0.6 mm | 0.6 mm | 0.6 mm | 0.6 mm | 0.6 mm |
端子位置 | ZIG-ZAG | ZIG-ZAG | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
JESD-609代码 | e4 | e4 | e4 | e4 | - |
端子面层 | Gold (Au) | Gold (Au) | Gold (Au) | Gold (Au) | - |
是否无铅 | - | - | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
Objectid | - | - | 1126060305 | 1126060306 | 1126060307 |
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