V826765G24SBJW-C0,V826765G24SBJW-C0 pdf中文资料,V826765G24SBJW-C0引脚图,V826765G24SBJW-C0电路-Datasheet-电子工程世界

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V826765G24SBJW-C0: 产品描述DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, GREEN, SODIMM-200; 产品类别存储存储; 文件大小176KB，共14页; 制造商ProMOS Technologies Inc; 标准

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V826765G24SBJW-C0概述

DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, GREEN, SODIMM-200

V826765G24SBJW-C0规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SODIMM
包装说明	DIMM, DIMM200,24
针数	200
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XZMA-N200
JESD-609代码	e4
内存密度	8589934592 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	200
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM200,24
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	0.16 A
最大压摆率	3.28 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Gold (Au)
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.6 mm
端子位置	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

V826765G24SBJW-C0相似产品对比

	V826765G24SBJW-C0	V826765G24SBJW-D3	V826765G24SBSG-C0	V826765G24SBSG-D3	V826765G24SBSL-C0
描述	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, GREEN, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, GREEN, SODIMM-200	Cache DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, PDMA200	Cache DRAM Module, 128MX64, 0.65ns, CMOS, PDMA200	Cache DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, PDMA200
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	0.7 ns	0.7 ns	0.7 ns	0.65 ns	0.7 ns
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	200 MHz	166 MHz	200 MHz	166 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XZMA-N200	R-XZMA-N200	R-PDMA-N200	R-PDMA-N200	R-PDMA-N200
内存密度	8589934592 bit	8589934592 bit	8589934592 bit	8589934592 bit	8589934592 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	CACHE DRAM MODULE	CACHE DRAM MODULE	CACHE DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64
端子数量	200	200	200	200	200
字数	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words
字数代码	128000000	128000000	128000000	128000000	128000000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	128MX64	128MX64	128MX64	128MX64	128MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	2.5 V	2.6 V	2.5 V	2.6 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192
最大待机电流	0.16 A	0.16 A	0.16 A	0.16 A	0.16 A
最大压摆率	3.28 mA	3.36 mA	3.28 mA	3.36 mA	3.28 mA
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.6 V	2.5 V	2.6 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm
端子位置	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4	-
端子面层	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)	-
是否无铅	-	-	含铅	含铅	含铅
Objectid	-	-	1126060305	1126060306	1126060307

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