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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRHF3230
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IRHF3230

产品描述Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小291KB，共12页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRHF3230概述

Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN

IRHF3230规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级（Eas）240 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)5.5 A
最大漏极电流 (ID)5.5 A
最大漏源导通电阻0.36 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)22 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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PD - 90672E
RADIATION HARDENED
POWER MOSFET
THRU-HOLE (TO-39)
Product Summary
Part Number Radiation Level
IRHF7230
100K Rads (Si)
IRHF3230
300K Rads (Si)
IRHF4230
IRHF8230
500K Rads (Si)
1000K Rads (Si)
R
DS(on)
0.35Ω
0.35Ω
0.35Ω
0.35Ω
I
D
5.5A
5.5A
5.5A
5.5A
IRHF7230
JANSR2N7262
200V, N-CHANNEL
REF: MIL-PRF-19500/601
®
RAD-Hard HEXFET
TECHNOLOGY
™
QPL Part Number
JANSR2N7262
JANSF2N7262
JANSG2N7262
JANSH2N7262
International Rectifier’s RAD-Hard
TM
HEXFET
®
technology provides high performance power
MOSFETs for space applications. This technology
has over a decade of proven performance and
reliability in satellite applications. These devices have
been characterized for both Total Dose and Single
Event Effects (SEE). The combination of low Rdson
and low gate charge reduces the power losses in
switching applications such as DC to DC converters
and motor control. These devices retain all of the well
established advantages of MOSFETs such as voltage
control, fast switching, ease of paralleling and
temperature stability of electrical parameters.
TO-39
Features:
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened
Low R
DS(on)
Low Total Gate Charge
Simple Drive Requirements
Ease of Paralleling
Hermetically Sealed
Light Weight
Absolute Maximum Ratings
Parameter
ID @ VGS = 12V, TC = 25°C
ID @ VGS = 12V, TC = 100°C
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
TJ
T STG
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
À
Max. Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Á
Avalanche Current
À
Repetitive Avalanche Energy
À
Peak Diode Recovery dv/dt
Â
Operating Junction
Storage Temperature Range
Lead Temperature
Weight
For footnotes refer to the last page
5.5
3.5
22
25
0.2
±20
240
5.5
2.5
5.0
-55 to 150
Pre-Irradiation
Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
o
C
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)
0.98 (Typical)
g
www.irf.com
1
05/15/06

IRHF3230相似产品对比

IRHF3230 IRHF4230 IRHF7230PBF IRHF8230PBF IRHF8230
描述 Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合 符合 不符合
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 TO-205AF, 3 PIN
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant not_compliant
雪崩能效等级（Eas） 240 mJ 240 mJ 240 mJ 240 mJ 240 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 5.5 A 5.5 A 5.5 A 5.5 A 5.5 A
最大漏源导通电阻 0.36 Ω 0.36 Ω 0.36 Ω 0.36 Ω 0.36 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-39 TO-39 TO-39 TO-39 TO-39
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 22 A 22 A 22 A 22 A 22 A
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
ECCN代码 EAR99 EAR99 - - EAR99
最大漏极电流 (Abs) (ID) 5.5 A 5.5 A - - 5.5 A
JESD-609代码 e0 e0 - - e0
最大功率耗散 (Abs) 25 W 25 W - - 25 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified - - Not Qualified
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD - - Tin/Lead (Sn/Pb)
厂商名称 - - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
其他特性 - - RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED

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